ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > PUMH18,115
Datasheet下载- 型号： PUMH18,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMH18,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMH18,115价格参考￥0.22-￥0.22。NXP SemiconductorsPUMH18,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMH18,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMH18,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PUMH18,115 是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置产品，主要用于需要高精度、稳定性和可靠性的电子电路中。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理：PUMH18,115 常用于各种电源管理电路中，如线性稳压器和开关模式电源（SMPS）。其预偏置特性使得它在启动和关断过程中能够提供更稳定的电流控制，从而提高电源系统的效率和稳定性。 2. 信号放大：在音频设备和其他需要高保真信号放大的应用中，PUMH18,115 的低噪声和高增益特性使其成为理想选择。它可以用于前置放大器、功率放大器等，确保信号传输过程中不失真并保持高质量。 3. 电机驱动：在小型电机驱动电路中，PUMH18,115 可以提供精确的电流控制，确保电机平稳运行。其预偏置设计有助于减少启动时的冲击电流，延长电机寿命。 4. 工业自动化：在工业控制系统中，PUMH18,115 可用于传感器接口、执行器驱动和信号调理电路。它的高可靠性能够在恶劣环境下长时间稳定工作，满足工业自动化对性能和稳定性的严格要求。 5. 消费电子产品：例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑等便携式设备中，PUMH18,115 可用于电池管理、充电电路和背光驱动等模块。其紧凑的封装和高效能表现使其非常适合这些对空间和功耗有严格要求的应用。 6. 通信设备：在无线通信基站、路由器和其他网络设备中，PUMH18,115 可用于射频前端电路中的功率放大和信号处理部分。其优异的电气特性有助于提升通信质量和覆盖范围。 总之，PUMH18,115 凭借其独特的预偏置设计和高性能参数，广泛应用于各类需要高精度电流控制和稳定工作的电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMH18,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PUMH18,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 10mA，5V |
| 产品种类 | Transistors - Arrays |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-11285-6 |
| 典型电阻器比率 | 0.47 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PUMH18 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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