Datasheet下载- 型号： PUMH13,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMH13,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMH13,115价格参考￥0.11-￥0.11。NXP SemiconductorsPUMH13,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PUMH13,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMH13,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的型号为 PUMH13,115 的晶体管属于双极型晶体管 (BJT) 阵列，且为预偏置类型。这种器件的应用场景主要集中在需要高性能、高可靠性和精确控制的小信号放大与开关领域。以下是其典型应用场景： 1. 音频信号处理： 该器件适用于低噪声、小信号放大的场景，例如音频前置放大器或麦克风信号放大电路。其预偏置特性可以简化设计并提高系统的稳定性和线性度。 2. 传感器信号调理： 在工业自动化、医疗设备和消费电子中，传感器输出的微弱信号通常需要被放大和处理。PUMH13,115 可用于将传感器信号进行初步放大，确保后续电路能够准确接收和处理数据。 3. 通信系统中的射频 (RF) 和中频 (IF) 电路： 这种 BJT 阵列适合用作低功率 RF 或 IF 放大器的核心元件，尤其是在需要高增益和低失真的应用中，例如无线模块、收发器和调制解调器。 4. 精密开关电路： PUMH13,115 的预偏置设计使其在模拟开关电路中表现优异，可用于多路复用器或多路选择器的设计，实现对不同信号通道的快速切换。 5. 电源管理中的辅助电路： 在一些电源管理系统中，该器件可以用作误差放大器、电流检测放大器或反馈回路的一部分，以优化电源效率和稳定性。 6. 测试与测量设备： 在示波器、信号发生器等精密仪器中，PUMH13,115 能够提供稳定的增益和良好的频率响应，满足高精度要求。 7. 汽车电子： 在汽车电子控制系统中（如引擎管理、制动系统），该器件可用于信号调节和驱动电路，支持复杂的实时控制功能。 总结来说，PUMH13,115 凭借其双极型晶体管阵列结构和预偏置特性，在需要高精度、高稳定性和高效能的电子电路中具有广泛的应用价值，特别是在信号放大、开关控制和通信领域表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMH13,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PUMH13,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-11282-6 |
| 典型电阻器比率 | 0.1 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 10 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-88-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PUMH13 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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