ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > PUMH10,115
Datasheet下载- 型号： PUMH10,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMH10,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMH10,115价格参考￥0.11-￥0.11。NXP SemiconductorsPUMH10,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMH10,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMH10,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的型号为 PUMH10,115 的晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置，主要应用于需要高性能、高可靠性和低功耗的电路设计中。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理：PUMH10,115 适合用于开关电源和线性稳压器中的驱动电路。其预偏置特性可以简化设计，提高效率并减少外部元件数量。 2. 信号放大：在音频设备、传感器接口和其他模拟信号处理应用中，该器件能够提供稳定的增益和低噪声性能，确保信号的高质量传输。 3. 电机控制：在小型电机驱动器和伺服控制系统中，PUMH10,115 可以用作功率级驱动元件，实现精确的速度和位置控制。 4. 通信设备：对于无线通信模块和有线网络接口，该晶体管阵列可以用于射频前端、数据收发器等关键部分，保证信号的完整性和可靠性。 5. 消费电子产品：如智能手机、平板电脑和平板电视等产品中，PUMH10,115 可以为内部的各种功能模块（如显示屏背光驱动、音频放大等）提供支持。 6. 工业自动化：在PLC（可编程逻辑控制器）、变频器和智能仪表等领域，该器件可用于构建稳健的输入输出接口和保护电路。 7. 汽车电子：适用于车载娱乐系统、车身控制单元（BCM）及电动助力转向系统（EPS）等，满足汽车行业对安全性和耐用性的严格要求。 总之，PUMH10,115 凭借其优异的电气特性和紧凑的封装形式，在多种领域有着广泛的应用前景，特别适合那些对空间有限且对性能有较高要求的设计场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMH10,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PUMH10,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-6552-6 |
| 典型电阻器比率 | 0.047 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PUMH10 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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