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PUMH1,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMH1,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMH1,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMH1,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMH1,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PUMH1,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的型号为 PUMH1,115 的双极晶体管 (BJT) 阵列 - 预偏置,主要用于需要高精度、低功耗和稳定性能的应用场景。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 信号放大 - PUMH1,115 可用于音频信号放大器中,处理低功率音频信号的放大任务。其预偏置特性确保了稳定的直流工作点,适合在便携式音频设备(如耳机放大器)中使用。 2. 模拟电路设计 - 在模拟电路中,PUMH1,115 能够实现电流镜、差分放大器等功能。其阵列结构允许多个晶体管协同工作,简化复杂电路的设计。 3. 传感器信号调理 - 该型号可用于传感器信号的放大和调理。例如,在温度、压力或光敏传感器中,PUMH1,115 能够将微弱的传感器输出信号放大到适合后续处理的水平。 4. 电源管理 - 在低功耗系统中,PUMH1,115 可用作开关或线性稳压器中的关键组件。其低功耗特性和稳定性使其适合电池供电设备(如手持设备或物联网节点)。 5. 通信设备 - 在无线通信模块中,PUMH1,115 可用于射频信号的前级放大或混频器电路中,提供稳定的增益和低噪声性能。 6. 工业控制 - 在工业自动化领域,该型号可用于驱动小型继电器、光电耦合器或其他低功率负载,同时保持较高的可靠性和稳定性。 7. 消费电子 - PUMH1,115 广泛应用于各种消费电子产品中,如遥控器、玩具、家用电器等,用于信号处理、驱动和控制功能。 总结 PUMH1,115 的预偏置特性使其特别适合需要精确偏置电压的电路,同时其紧凑的阵列结构和高性能指标使其成为多种应用的理想选择。无论是消费电子、工业控制还是通信设备,该型号都能提供可靠的性能表现。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMH1,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PUMH1,115 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 5mA,5V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | 6-TSSOP |
其它名称 | 568-8116-2 |
典型电阻器比率 | 1 |
典型输入电阻器 | 22 kOhms |
功率-最大值 | 300mW |
功率耗散 | 200 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 10 V |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SC-88-6 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN/NPN |
晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 3,000 |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
零件号别名 | PUMH1 T/R |
频率-跃迁 | 230MHz |