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  • 型号: PUMH1,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PUMH1,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PUMH1,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMH1,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMH1,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMH1,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PUMH1,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 生产的型号为 PUMH1,115 的双极晶体管 (BJT) 阵列 - 预偏置,主要用于需要高精度、低功耗和稳定性能的应用场景。以下是该型号的一些典型应用场景:

 1. 信号放大
   - PUMH1,115 可用于音频信号放大器中,处理低功率音频信号的放大任务。其预偏置特性确保了稳定的直流工作点,适合在便携式音频设备(如耳机放大器)中使用。

 2. 模拟电路设计
   - 在模拟电路中,PUMH1,115 能够实现电流镜、差分放大器等功能。其阵列结构允许多个晶体管协同工作,简化复杂电路的设计。

 3. 传感器信号调理
   - 该型号可用于传感器信号的放大和调理。例如,在温度、压力或光敏传感器中,PUMH1,115 能够将微弱的传感器输出信号放大到适合后续处理的水平。

 4. 电源管理
   - 在低功耗系统中,PUMH1,115 可用作开关或线性稳压器中的关键组件。其低功耗特性和稳定性使其适合电池供电设备(如手持设备或物联网节点)。

 5. 通信设备
   - 在无线通信模块中,PUMH1,115 可用于射频信号的前级放大或混频器电路中,提供稳定的增益和低噪声性能。

 6. 工业控制
   - 在工业自动化领域,该型号可用于驱动小型继电器、光电耦合器或其他低功率负载,同时保持较高的可靠性和稳定性。

 7. 消费电子
   - PUMH1,115 广泛应用于各种消费电子产品中,如遥控器、玩具、家用电器等,用于信号处理、驱动和控制功能。

 总结
PUMH1,115 的预偏置特性使其特别适合需要精确偏置电压的电路,同时其紧凑的阵列结构和高性能指标使其成为多种应用的理想选择。无论是消费电子、工业控制还是通信设备,该型号都能提供可靠的性能表现。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS DUAL NPN 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMH1,115-

数据手册

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产品型号

PUMH1,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

150mV @ 500µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

60 @ 5mA,5V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

6-TSSOP

其它名称

568-8116-2
934054827115
PUMH1 T/R
PUMH1 T/R-ND
PUMH1,115-ND
PUMH1115

典型电阻器比率

1

典型输入电阻器

22 kOhms

功率-最大值

300mW

功率耗散

200 mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

10 V

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SC-88-6

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN/NPN

晶体管类型

2 个 NPN 预偏压式(双)

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

22k

电阻器-基底(R1)(Ω)

22k

直流集电极/BaseGainhfeMin

60

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

零件号别名

PUMH1 T/R

频率-跃迁

230MHz

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