ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > PUMD6,135
Datasheet下载- 型号： PUMD6,135
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMD6,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMD6,135价格参考。NXP SemiconductorsPUMD6,135封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMD6,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMD6,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的型号为 PUMD6,135 的双极性晶体管 (BJT) 阵列 - 预偏置，主要应用于以下场景： 1. 信号放大 - 该器件适用于低噪声、高增益的信号放大电路。预偏置设计使其能够快速稳定地工作在特定的工作点，适合音频、射频或传感器信号的放大。 2. 开关电路 - 在需要高速开关的应用中，PUMD6,135 的 BJT 阵列可以用于驱动继电器、LED 或小型电机。其预偏置特性简化了电路设计，提高了开关效率。 3. 功率管理 - 该型号可用于简单的功率管理电路，例如电压调节器或电流限制电路。通过调整偏置参数，可实现对负载电流的有效控制。 4. 多通道应用 - 由于是 BJT 阵列，PUMD6,135 可同时处理多个信号通道。这使其非常适合多路复用器、解复用器或并行信号处理系统。 5. 消费电子设备 - 在音频设备（如耳机放大器、音响系统）中，该器件可用于信号增强和输出级驱动。 - 在家用电器（如遥控器、智能照明）中，可用作控制信号的放大或开关元件。 6. 工业控制 - 在工业自动化领域，PUMD6,135 可用于传感器信号调理、数据采集系统的前端放大，以及驱动小型执行器。 7. 通信设备 - 在低功耗通信模块中，该器件可用于信号调制与解调，或者作为射频前端的放大元件。 总结 PUMD6,135 的预偏置设计使其易于集成到各种电路中，特别适合需要稳定性能和快速响应的应用场景。其紧凑的封装形式也便于节省空间，适用于便携式和小型化设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PUMD6,135 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 1A，5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934055430135 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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