ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > PUMD30,115
Datasheet下载- 型号： PUMD30,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMD30,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMD30,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMD30,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMD30,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMD30,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PUMD30,115 是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置的产品，适用于多种应用场景。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 PUMD30,115 常用于电源管理电路中，特别是在需要高精度电流控制和快速响应的场合。由于其预偏置特性，它可以提供稳定的电流输出，适用于线性稳压器、开关电源等应用。它能够在低功耗状态下保持高效能，特别适合便携式设备如智能手机、平板电脑和其他电池供电的电子产品。 2. 信号放大 在音频和射频（RF）信号放大方面，PUMD30,115 的双极晶体管阵列能够提供出色的增益和线性度。它的预偏置设计确保了在不同工作温度下都能保持稳定的性能，适用于音响设备、无线通信模块等需要高质量信号放大的场景。 3. 电机驱动 对于小型电机驱动应用，PUMD30,115 能够提供精确的电流控制，确保电机平稳运行。它的高电流承载能力和快速开关特性使其非常适合用于步进电机、直流电机等驱动电路中，广泛应用于智能家居、自动化控制系统等领域。 4. 保护电路 在过流保护和短路保护电路中，PUMD30,115 可以作为关键元件。它能够在检测到异常电流时迅速切断电路，防止损坏其他敏感元件。这种保护功能在工业控制系统、消费电子设备中尤为重要。 5. 传感器接口 在传感器接口电路中，PUMD30,115 可以用于信号调理和放大。它能够将微弱的传感器信号放大到合适的水平，以便后续处理或传输。这在温度传感器、压力传感器等应用中非常有用。 6. 汽车电子 在汽车电子领域，PUMD30,115 可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）、发动机控制单元（ECU）等。其高可靠性和宽温度范围适应能力使其成为汽车电子的理想选择。 总之，PUMD30,115 凭借其预偏置特性和高性能，在多个领域都有广泛应用，尤其是在需要精确电流控制和稳定性能的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMD30,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PUMD30,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 20mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934059934115 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | UMT-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PUMD30 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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