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  • 型号: PUMD3,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PUMD3,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PUMD3,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMD3,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMD3,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMD3,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PUMD3,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 生产的 PUMD3,115 是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置的产品,具有多种应用场景。以下是一些主要的应用领域:

 1. 电源管理
PUMD3,115 常用于电源管理电路中,特别是在需要高效、稳定电流输出的场合。预偏置特性使得它在启动和稳压过程中表现优异,能够快速响应负载变化,确保电源系统的稳定性和可靠性。常见的应用包括开关电源、线性稳压器等。

 2. 信号放大
该器件也广泛应用于信号放大电路中。由于其高增益和低噪声特性,PUMD3,115 可以有效地放大微弱信号,适用于音频放大器、传感器信号调理电路等领域。预偏置设计减少了外部元件的需求,简化了电路设计。

 3. 驱动电路
PUMD3,115 还可用于驱动各种负载,如电机、LED 灯等。它能够提供足够的电流驱动能力,同时保持较低的功耗。预偏置特性使得它在驱动电路中表现出色,尤其是在需要精确控制电流的场合。

 4. 保护电路
在保护电路中,PUMD3,115 可以用作过流保护、短路保护等。它的快速响应时间和低饱和电压有助于及时切断异常电流,保护后续电路免受损坏。预偏置设计提高了保护电路的可靠性和响应速度。

 5. 通信设备
在通信设备中,PUMD3,115 可用于射频(RF)前端模块、收发器等。它能够在高频条件下保持良好的性能,支持高速数据传输和信号处理。预偏置特性有助于提高通信设备的稳定性和抗干扰能力。

 6. 工业控制
在工业自动化和控制系统中,PUMD3,115 可用于控制各种执行器和传感器。它的高可靠性和稳定性使其能够在恶劣的工业环境中长期工作。预偏置设计简化了调试过程,提高了系统的整体性能。

总之,PUMD3,115 凭借其预偏置特性、高增益、低噪声和快速响应时间,广泛应用于电源管理、信号放大、驱动电路、保护电路、通信设备和工业控制等领域,为各类电子系统提供了高效、可靠的解决方案。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN/PNP 50V 100mA

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMD3,115-

数据手册

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产品型号

PUMD3,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

150mV @ 500µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

30 @ 5mA,5V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

6-TSSOP

其它名称

568-5039-6

典型电阻器比率

1

典型输入电阻器

10 kOhms

功率-最大值

300mW

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363-6

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN/PNP

晶体管类型

1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

1µA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

10k

电阻器-基底(R1)(Ω)

10k

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

零件号别名

PUMD3 T/R

频率-跃迁

-

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