ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > PUMD3,115
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
PUMD3,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMD3,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMD3,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMD3,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMD3,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PUMD3,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PUMD3,115 是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置的产品,具有多种应用场景。以下是一些主要的应用领域: 1. 电源管理 PUMD3,115 常用于电源管理电路中,特别是在需要高效、稳定电流输出的场合。预偏置特性使得它在启动和稳压过程中表现优异,能够快速响应负载变化,确保电源系统的稳定性和可靠性。常见的应用包括开关电源、线性稳压器等。 2. 信号放大 该器件也广泛应用于信号放大电路中。由于其高增益和低噪声特性,PUMD3,115 可以有效地放大微弱信号,适用于音频放大器、传感器信号调理电路等领域。预偏置设计减少了外部元件的需求,简化了电路设计。 3. 驱动电路 PUMD3,115 还可用于驱动各种负载,如电机、LED 灯等。它能够提供足够的电流驱动能力,同时保持较低的功耗。预偏置特性使得它在驱动电路中表现出色,尤其是在需要精确控制电流的场合。 4. 保护电路 在保护电路中,PUMD3,115 可以用作过流保护、短路保护等。它的快速响应时间和低饱和电压有助于及时切断异常电流,保护后续电路免受损坏。预偏置设计提高了保护电路的可靠性和响应速度。 5. 通信设备 在通信设备中,PUMD3,115 可用于射频(RF)前端模块、收发器等。它能够在高频条件下保持良好的性能,支持高速数据传输和信号处理。预偏置特性有助于提高通信设备的稳定性和抗干扰能力。 6. 工业控制 在工业自动化和控制系统中,PUMD3,115 可用于控制各种执行器和传感器。它的高可靠性和稳定性使其能够在恶劣的工业环境中长期工作。预偏置设计简化了调试过程,提高了系统的整体性能。 总之,PUMD3,115 凭借其预偏置特性、高增益、低噪声和快速响应时间,广泛应用于电源管理、信号放大、驱动电路、保护电路、通信设备和工业控制等领域,为各类电子系统提供了高效、可靠的解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN/PNP 50V 100mA |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMD3,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PUMD3,115 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | 6-TSSOP |
其它名称 | 568-5039-6 |
典型电阻器比率 | 1 |
典型输入电阻器 | 10 kOhms |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SOT-363-6 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN/PNP |
晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
零件号别名 | PUMD3 T/R |
频率-跃迁 | - |