ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > PUMD20,115
Datasheet下载- 型号： PUMD20,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMD20,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMD20,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMD20,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMD20,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMD20,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的型号为 PUMD20,115 的双极晶体管 (BJT) 阵列 - 预偏置，主要应用于需要高性能、高可靠性和精确控制的电路中。以下是其典型应用场景： 1. 信号放大与处理 - 该器件适用于音频信号放大器、射频 (RF) 放大器和低噪声放大器 (LNA) 中，能够提供稳定的增益和较低的失真。 - 在工业自动化和通信设备中，用于信号调理和增强。 2. 开关应用 - 在电源管理模块中，作为高速开关使用，例如 DC-DC 转换器或 PWM 控制电路。 - 适用于继电器驱动、电机控制和其他需要快速切换的场景。 3. 传感器接口 - 用于将微弱的传感器信号放大到可被后续电路处理的水平，常见于温度传感器、压力传感器等精密测量系统。 4. 通信设备 - 在无线通信模块中，作为功率放大器的一部分，支持稳定的数据传输。 - 用于调制解调器和收发器中的信号调节。 5. 消费电子 - 在音响设备、电视和家用电器中，用于音频输出级放大和控制电路。 - 适用于便携式设备中的电池管理和充电控制。 6. 汽车电子 - 用于车载音响系统、灯光控制和引擎管理系统的信号放大和驱动。 - 符合车规级要求，能够在极端温度和振动条件下稳定工作。 7. 医疗设备 - 在心电图 (ECG)、超声波和其他医疗监测设备中，用于信号采集和放大。 - 提供高精度和低噪声性能，确保数据的准确性。 PUMD20,115 的预偏置特性使其在设计时更加方便，减少了外部偏置电路的需求，同时提高了系统的稳定性和一致性。这种器件广泛应用于需要高性能模拟信号处理和开关功能的各种领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 DOUBLE RET |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMD20,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PUMD20,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 20mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934058901115 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PUMD20 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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