ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > PUMD2,115
Datasheet下载- 型号： PUMD2,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMD2,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMD2,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMD2,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMD2,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMD2,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PUMD2,115 是一款双极晶体管 (BJT) 阵列，预偏置类型。该型号的应用场景广泛，尤其适用于需要高精度、低功耗和稳定性能的电路设计中。以下是其主要应用场景： 1. 模拟信号处理 PUMD2,115 可用于模拟信号的放大和处理，尤其是在音频设备、传感器接口等应用中。由于其预偏置特性，能够确保在不同工作条件下保持稳定的增益和线性度，适合用于前置放大器、滤波器等电路。 2. 电源管理 该晶体管阵列可用于电源管理电路中的电压调节和电流控制。例如，在低压差稳压器（LDO）或开关电源（SMPS）中，PUMD2,115 可以帮助实现高效的功率转换，同时保持输出电压的稳定性。预偏置特性使得它在启动和关断过程中更加平稳，减少了瞬态响应中的波动。 3. 工业自动化 在工业控制系统中，PUMD2,115 可用于驱动继电器、电机控制器或其他执行器。它的高可靠性和预偏置设计使其能够在恶劣的工业环境中长期稳定工作，适应宽温度范围和高湿度环境。 4. 消费电子 在消费电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，PUMD2,115 可用于背光驱动、音频放大和其他内部信号处理。其低功耗和小尺寸封装使其非常适合便携式设备，有助于延长电池寿命并减小电路板空间占用。 5. 汽车电子 汽车电子系统对可靠性和安全性要求极高，PUMD2,115 的预偏置特性和高可靠性使其成为车载电子的理想选择。它可以应用于车身控制模块（BCM）、发动机控制单元（ECU）、电动助力转向（EPS）等关键系统中，确保车辆在各种工况下的稳定运行。 6. 医疗设备 在医疗设备中，如心电图机、超声波设备等，PUMD2,115 可用于信号放大和处理。其高精度和稳定性对于确保医疗数据的准确性至关重要，而预偏置设计则有助于减少噪声干扰，提高测量精度。 总之，PUMD2,115 凭借其预偏置特性和优异的性能参数，适用于多种需要高精度、低功耗和高可靠性的应用场景，特别是在模拟信号处理、电源管理和工业自动化等领域表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMD2,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PUMD2,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-6550-1 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 22 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PUMD2 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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