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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMD16,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMD16,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMD16,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMD16,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PUMD16,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PUMD16,115 是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置的产品,广泛应用于各种需要高效、稳定电流控制和开关操作的场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 PUMD16,115 常用于电源管理系统中,特别是在需要精确电流控制和快速响应的应用中。它能够有效地调节电流输出,确保电源系统的稳定性和效率。例如,在开关电源(SMPS)中,PUMD16,115 可以帮助实现高效的电压转换和电流调节,适用于笔记本电脑、智能手机等便携式设备的充电器。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中,PUMD16,115 的预偏置特性使其能够提供稳定的电流输出,确保电机运行的平稳性和精度。它常用于小型直流电机、步进电机和伺服电机的驱动电路中,特别是在自动化控制系统、机器人技术和智能家居设备中,能够实现精确的速度控制和位置反馈。 3. 信号放大 由于其双极晶体管阵列结构,PUMD16,115 在信号放大方面表现出色。它可以用于音频放大器、传感器信号调理电路等场合,提供高增益和低噪声的信号放大功能。在工业自动化、医疗设备和通信系统中,PUMD16,115 能够确保信号的准确传输和处理。 4. 负载切换 PUMD16,115 还适用于负载切换应用,如继电器替代、固态继电器(SSR)等。它的预偏置特性使得开关速度更快,同时减少了电磁干扰(EMI),适用于家电、照明系统和工业控制设备中的负载切换需求。 5. 保护电路 在保护电路中,PUMD16,115 可以用作过流保护、短路保护等关键组件。它能够快速响应异常电流,切断电路以防止损坏其他元器件,确保整个系统的安全性和可靠性。常见于电池管理系统(BMS)、汽车电子等领域。 总之,PUMD16,115 凭借其优异的性能和稳定性,广泛应用于电源管理、电机驱动、信号放大、负载切换和保护电路等多个领域,满足了现代电子设备对高效、可靠电流控制的需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMD16,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PUMD16,115 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,5V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | 6-TSSOP |
其它名称 | 568-4282-6 |
典型电阻器比率 | 0.476 |
典型输入电阻器 | 22 kOhms |
功率-最大值 | 300mW |
功率耗散 | 200 mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SC-88-6 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN/PNP |
晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
零件号别名 | PUMD16 T/R |
频率-跃迁 | - |