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PUMD13,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMD13,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMD13,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMD13,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMD13,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PUMD13,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PUMD13,115 是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置的产品,广泛应用于需要高可靠性和高效能的电子设备中。具体应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 电源管理: - 在电源管理系统中,PUMD13,115 可用于稳压电路、开关电源和线性电源等应用。其预偏置特性使得它在启动和关断过程中能够快速响应,确保电源系统的稳定性和可靠性。 2. 信号放大与处理: - 该器件适用于音频放大器、射频(RF)放大器以及其他需要高增益和低噪声的信号放大电路。其双极晶体管阵列设计可以提供出色的线性和动态范围,适合于各种模拟信号处理任务。 3. 电机控制: - 在电机驱动和控制系统中,PUMD13,115 可以用于驱动小功率电机或作为大功率电机控制器中的辅助元件。它的预偏置功能有助于提高电机启动速度和运行效率,同时减少电磁干扰(EMI)。 4. 消费电子产品: - 包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备在内的消费电子产品中,PUMD13,115 可用于电池充电管理、背光驱动以及音频输出放大等模块,确保这些设备在不同工作状态下保持高性能和低功耗。 5. 工业自动化: - 在工业自动化领域,如可编程逻辑控制器(PLC)、传感器接口和执行器驱动等方面,PUMD13,115 可以提供精确的电流控制和信号调理功能,满足工业环境对可靠性和耐用性的严格要求。 6. 通信设备: - 对于基站、路由器和其他通信基础设施,PUMD13,115 的高速开关特性和低噪声性能使其成为理想的信号调节和功率放大组件,支持稳定的通信链路和数据传输。 总之,PUMD13,115 凭借其优异的电气特性和预偏置设计,在多种电子应用中表现出色,特别是在那些对性能、可靠性和效率有较高要求的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMD13,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PUMD13,115 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 100mV @ 250µA, 5mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | 6-TSSOP |
其它名称 | 568-5038-1 |
典型电阻器比率 | 0.1 |
典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SOT-363-6 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN/PNP |
晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
零件号别名 | PUMD13 T/R |
频率-跃迁 | - |