【晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置_PUMD12,135】封装/厂家_PUMD12,135中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > PUMD12,135

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： PUMD12,135
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供PUMD12,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMD12,135价格参考。NXP SemiconductorsPUMD12,135封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz, 180MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMD12,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMD12,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 生产的 PUMD12,135 是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置产品，适用于多种应用场景。以下是一些典型的应用场景：

 1. 电源管理
PUMD12,135 常用于电源管理系统中，特别是在需要高效、低功耗和高可靠性的场合。它可以作为开关元件或线性稳压器中的关键组件，帮助实现稳定的电压输出和电流控制。预偏置特性使得该器件能够在启动时快速进入工作状态，减少启动时间和功耗。

 2. 信号放大
在音频设备和其他需要信号放大的应用中，PUMD12,135 可以用作放大器的核心元件。它的双极晶体管阵列结构能够提供较高的增益和较低的噪声，确保信号传输的稳定性和清晰度。预偏置功能有助于优化工作点，避免失真和非线性问题。

 3. 电机驱动
对于小型电机驱动电路，PUMD12,135 可以用于控制电机的速度和方向。其预偏置特性可以确保电机启动时的平稳性和响应速度，减少启动冲击。此外，该器件的高可靠性使其适合长时间运行的电机控制系统。

 4. 工业自动化
在工业自动化领域，PUMD12,135 可以用于各种传感器接口、执行器控制和信号调理电路。它能够承受工业环境中的恶劣条件，如温度变化、电磁干扰等。预偏置设计有助于提高系统的稳定性和抗干扰能力，确保长期可靠的运行。

 5. 消费电子
在消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和其他便携式设备，PUMD12,135 可以用于电池管理、背光控制和音频放大等功能模块。其低功耗和小尺寸特点非常适合这些对空间和能耗有严格要求的应用。

 6. 通信设备
在通信设备中，PUMD12,135 可以用于射频前端、功率放大器和调制解调器等关键部分。它的高频率特性和预偏置设计有助于提高通信系统的性能和稳定性，尤其是在高速数据传输和复杂信号处理的场景下。

总之，PUMD12,135 凭借其双极晶体管阵列和预偏置特性，在多个领域中表现出色，广泛应用于电源管理、信号放大、电机驱动、工业自动化、消费电子和通信设备等场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
产品分类	晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
品牌	NXP Semiconductors
数据手册
产品图片
产品型号	PUMD12,135
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	150mV @ 500µA， 10mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	80 @ 5mA，5V
供应商器件封装	6-TSSOP
其它名称	934055432135
功率-最大值	300mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
晶体管类型	1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
标准包装	10,000
电压-集射极击穿（最大值）	50V
电流-集电极(Ic)（最大值）	100mA
电流-集电极截止（最大值）	1µA
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)	47k
电阻器-基底(R1)(Ω)	47k
频率-跃迁	230MHz， 180MHz