ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > PUMB9,115
Datasheet下载- 型号： PUMB9,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMB9,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMB9,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMB9,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMB9,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMB9,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的型号为 PUMB9,115 的晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置，主要用于需要高可靠性、低功耗和高效能的电子设备中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 PUMB9,115 晶体管阵列适用于各种电源管理系统，如稳压器、DC-DC转换器等。由于其预偏置特性，能够简化电路设计，减少外部元件的数量，从而提高系统的可靠性和稳定性。它可以在低压差（LDO）线性稳压器中作为开关或驱动元件，确保输出电压的稳定性和精度。 2. 信号放大与处理 该器件可以用于音频放大器、射频（RF）前端模块等信号放大和处理电路中。预偏置功能使得这些应用中的信号放大更加精确，减少了失真和噪声，提升了整体性能。特别是在便携式设备中，PUMB9,115 的低功耗特性有助于延长电池寿命。 3. 电机控制 在小型电机控制系统中，PUMB9,115 可以用作驱动级晶体管，控制电机的速度和方向。其高电流驱动能力和快速响应速度使其非常适合用于步进电机、直流电机等精密控制场合。预偏置设计简化了驱动电路的设计，降低了系统复杂度。 4. 保护电路 PUMB9,115 还广泛应用于过流保护、短路保护等电路中。其内置的预偏置功能可以帮助实现更精确的电流检测和保护阈值设定，确保电路在异常情况下能够及时切断电源，保护其他敏感元件免受损坏。 5. 消费电子产品 在智能手机、平板电脑、智能手表等消费电子产品中，PUMB9,115 能够提供高效能的电源管理和信号处理功能，同时保持低功耗，延长设备的续航时间。其紧凑的封装形式也适合用于空间有限的小型化设计。 6. 工业自动化 在工业自动化领域，PUMB9,115 可用于传感器接口、PLC（可编程逻辑控制器）等设备中，提供可靠的信号传输和处理功能。其高可靠性和耐久性使其能够在恶劣的工业环境中长期稳定工作。 总之，PUMB9,115 晶体管阵列凭借其预偏置特性、低功耗和高效能，在多种应用场景中表现出色，适用于电源管理、信号处理、电机控制、保护电路以及消费电子和工业自动化等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMB9,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PUMB9,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 5mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934057506115 |
| 典型电阻器比率 | 0.2 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PUMB9 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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