ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > PUMB24,115
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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PUMB24,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMB24,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMB24,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMB24,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 20mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMB24,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMB24,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的型号为 PUMB24,115 的双极晶体管 (BJT) 阵列 - 预偏置，主要应用于需要高性能、高可靠性和低功耗的电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 信号放大与处理 - PUMB24,115 可用于音频和射频信号的放大。由于其预偏置设计，能够简化电路设计并提高信号放大的稳定性。 - 在通信设备（如无线模块、蓝牙设备等）中，可用于射频信号的前级放大或后级驱动。 2. 开关应用 - 该型号适用于高速开关电路，例如在电源管理模块中作为开关元件使用。 - 在 LED 驱动电路中，可以控制电流以实现亮度调节或开关功能。 3. 传感器接口 - 在传感器信号调理电路中，PUMB24,115 可用作信号放大器，将微弱的传感器输出信号放大到适合后续处理的电平。 - 常见于温度传感器、压力传感器或光电传感器的信号处理电路。 4. 工业自动化 - 在工业控制系统中，用于驱动继电器、小型电机或其他负载。 - 可作为隔离放大器，用于保护敏感电路免受高压或大电流的影响。 5. 消费电子产品 - 在家用电器（如音响、电视、遥控器等）中，用于信号传输、功率放大或开关控制。 - 在便携式设备（如智能手机、平板电脑等）中，可能用于电池管理或信号增强。 6. 汽车电子 - 在汽车电子系统中，可用于仪表盘指示灯控制、车载音响信号放大或传感器信号处理。 - 其高可靠性使其适合在严苛环境下运行，例如发动机控制单元 (ECU) 或车身控制系统。 7. 医疗设备 - 在医疗监测设备中，用于信号采集和放大，例如心率监测仪、血压计等。 - 预偏置特性可减少外部元件需求，从而降低整体电路复杂性。 总之，PUMB24,115 凭借其预偏置设计和高性能参数，广泛应用于各种需要精确控制和高效放大的场景，尤其适合对空间和功耗有严格要求的设计环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 DOUBLE RET |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMB24,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PUMB24,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934058906115 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 100 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 20 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 20mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 100k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PUMB24 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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