ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > PUMB10,115
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMB10,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMB10,115价格参考¥0.50-¥1.22。NXP SemiconductorsPUMB10,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 180MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMB10,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PUMB10,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PUMB10,115 是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置的产品,主要应用于需要高效、稳定和可靠的小信号放大的场合。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 音频设备:PUMB10,115 可用于音频放大器中,如耳机放大器、音响系统和麦克风前置放大器等。其预偏置特性有助于提高音频信号的质量,减少失真,并确保音频输出的稳定性。 2. 通信设备:在无线通信设备中,例如对讲机、收发器和其他射频(RF)模块中,PUMB10,115 可以作为信号放大器,增强微弱信号,确保通信的清晰度和可靠性。 3. 传感器接口电路:许多传感器(如温度传感器、压力传感器和加速度计)输出的信号非常微弱,需要经过放大处理。PUMB10,115 可以有效地放大这些微弱信号,使其适合进一步处理或传输。 4. 工业自动化控制系统:在工业自动化领域,PUMB10,115 可用于各种控制电路中,如电机驱动器、伺服控制器和PLC(可编程逻辑控制器)。它能够提供稳定的电流放大功能,确保控制系统响应迅速且准确。 5. 医疗电子设备:在医疗设备中,如心电图机、超声波设备和监护仪等,PUMB10,115 可以用于信号调理和放大,确保生物电信号的高精度采集和处理。 6. 消费电子产品:在智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备中,PUMB10,115 可用于音频信号放大、电源管理模块中的电流放大等功能,提升用户体验。 总之,PUMB10,115 的预偏置特性使其在各种需要小信号放大和电流放大的应用中表现出色,广泛应用于音频、通信、工业控制、医疗和消费电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMB10,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PUMB10,115 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 100mV @ 250µA, 5mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,5V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | 6-TSSOP |
其它名称 | 568-8115-6 |
典型电阻器比率 | 0.047 |
典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SOT-363-6 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
零件号别名 | PUMB10 T/R |
频率-跃迁 | 180MHz |