ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单 > PTZTE259.1B
图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： PTZTE259.1B
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
PTZTE259.1B产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PTZTE259.1B由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTZTE259.1B价格参考。ROHM SemiconductorPTZTE259.1B封装/规格：二极管 - 齐纳 - 单， Zener Diode 9.8V 1W ±6% Surface Mount PMDS。您可以下载PTZTE259.1B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PTZTE259.1B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 9.8V 1W PMDS稳压二极管 9.1V 40MA |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ROHM Semiconductor PTZTE259.1B- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PTZTE259.1B |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 20µA @ 6V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | PMDS |
| 其它名称 | PTZTE259.1BCT |
| 功率-最大值 | 1W |
| 功率耗散 | 1 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±6% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-214AC，SMA |
| 封装/箱体 | SOD-106 |
| 工作温度 | - |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 最大反向漏泄电流 | 20 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 10 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 9.8V |
| 电压容差 | 6 % |
| 电压温度系数 | 5.9 mV/deg C |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 6 欧姆 |
| 齐纳电压 | 9.65 V |
