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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PTVS8V0S1UTR,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PTVS8V0S1UTR,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTVS8V0S1UTR,115价格参考。NXP SemiconductorsPTVS8V0S1UTR,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PTVS8V0S1UTR,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PTVS8V0S1UTR,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 8VWM 13.6VC SOD123WTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 UNI 9.83V 400W |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,NXP Semiconductors PTVS8V0S1UTR,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PTVS8V0S1UTR,115 |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
| 供应商器件封装 | * |
| 其它名称 | 568-10912-1 |
| 击穿电压 | 9.83 V |
| 功率-峰值脉冲 | 400W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123W |
| 封装/箱体 | SOD-123W |
| 尺寸 | 1.9 mm W x 3.7 mm L x 1.1 mm H |
| 峰值脉冲功率耗散 | 400 W |
| 工作温度 | -55°C ~ 185°C |
| 工作电压 | 8 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 8.89V |
| 电压-反向关态（典型值） | 8V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 13.6V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 29.4A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | PTVSxS1UTR |
| 钳位电压 | 13.6 V |
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