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  • 型号: PTVS30VS1UR,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PTVS30VS1UR,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTVS30VS1UR,115价格参考。NXP SemiconductorsPTVS30VS1UR,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PTVS30VS1UR,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PTVS30VS1UR,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

电路保护半导体

描述

TVS DIODE 30VWM 48.4VC SOD123WTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS UNI-DIR 30V 400W

产品分类

TVS - 二极管分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,NXP Semiconductors PTVS30VS1UR,115-

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产品型号

PTVS30VS1UR,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同频率时的电容

-

产品种类

TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器

供应商器件封装

SOD123W

其它名称

568-7455-2
934061363115
PTVS30VS1UR,115-ND
PTVS30VS1UR115

击穿电压

35.1 V

功率-峰值脉冲

400W

包装

带卷 (TR)

单向通道

1

双向通道

-

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOD-123W

封装/箱体

SOD-123W

尺寸

1.9 mm W x 2.8 mm L x 1.1 mm H

峰值浪涌电流

8.3 A

峰值脉冲功率耗散

400 W

工作温度

-55°C ~ 150°C (TA)

工作电压

30 V

工厂包装数量

3000

应用

通用

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

极性

Unidirectional

标准包装

3,000

电压-击穿(最小值)

33.3V

电压-反向关态(典型值)

30V

电压-箝位(最大值)@Ipp

48.4V

电流-峰值脉冲(10/1000µs)

8.3A

电源线路保护

端接类型

SMD/SMT

类型

齐纳

系列

PTVSxS1UR

钳位电压

48.4 V

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