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PT26-51B/TR8产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PT26-51B/TR8由Everlight设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PT26-51B/TR8价格参考。EverlightPT26-51B/TR8封装/规格:光学传感器 - 光电晶体管, Phototransistor 940nm Side View 1206 (3216 Metric)。您可以下载PT26-51B/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PT26-51B/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | PHOTOTRANSIST 1.6MM BK MINI SMD光电晶体管 Phototransistor |
产品分类 | |
品牌 | Everlight Electronics Co Ltd |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 光电晶体管,Everlight PT26-51B/TR8- |
数据手册 | |
产品型号 | PT26-51B/TR8 |
上升时间 | 15 us |
下降时间 | 15 us |
产品 | Phototransistors |
产品种类 | 光电晶体管 |
其它名称 | 1080-1387-2 |
功率-最大值 | 75mW |
商标 | Everlight |
安装类型 | 表面贴装 |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 1206(3216 公制) |
封装/箱体 | Side Looker |
工厂包装数量 | 1500 |
最大功率耗散 | 75 mW |
最大工作温度 | + 85 C |
最小工作温度 | - 25 C |
朝向 | 侧视图 |
标准包装 | 1,500 |
波长 | 940nm |
电压-集射极击穿(最大值) | 30V |
电流-暗(Id)(最大值) | 100nA |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 20mA |
视角 | - |
集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
集电极—射极击穿电压 | 60 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.4 V |