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Datasheet下载- 型号： PSMN9R5-100PS,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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PSMN9R5-100PS,127产品简介：
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V TO220ABMOSFET N-CH 100V STD LEVEL MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 89 A |
| Id-连续漏极电流 | 89 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN9R5-100PS,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN9R5-100PS,127 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 211 W |
| Pd-功率耗散 | 211 W |
| Qg-GateCharge | 82 nC |
| Qg-栅极电荷 | 82 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.8 V |
| 上升时间 | 25.2 ns |
| 下降时间 | 22.8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4454pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 82nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.6 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-5781 |
| 典型关闭延迟时间 | 52.2 ns |
| 功率-最大值 | 211W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 89A （Tmb） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
