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  • 型号: PSMN8R5-100ESQ
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN8R5-100ESQ由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN8R5-100ESQ价格参考。NXP SemiconductorsPSMN8R5-100ESQ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN8R5-100ESQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN8R5-100ESQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N CH 100V 100A I2PAKMOSFET PSMN8R5-100ES/I2PAK/RAILH

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 A

Id-连续漏极电流

100 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS不受无铅要求限制 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN8R5-100ESQ-

数据手册

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产品型号

PSMN8R5-100ESQ

Pd-PowerDissipation

263 W

Pd-功率耗散

263 W

Qg-GateCharge

111 nC

Qg-栅极电荷

111 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

22.6 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

22.6 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

35 ns

下降时间

43 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5512pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

111nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8.5 毫欧 @ 25A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I2PAK

其它名称

568-10161-5
934067378127
PSMN8R5100ESQ

典型关闭延迟时间

87 ns

功率-最大值

263W

包装

管件

商标

NXP Semiconductors

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

22.6 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

封装/箱体

I2PAK-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

100 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100A (Tj)

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