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  • 型号: PSMN7R8-120PSQ
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN7R8-120PSQ由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN7R8-120PSQ价格参考。NXP SemiconductorsPSMN7R8-120PSQ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN7R8-120PSQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN7R8-120PSQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 120V TO-220ABMOSFET N-channel 120V 7.9mo FET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

70 A

Id-连续漏极电流

70 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN7R8-120PSQ-

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产品型号

PSMN7R8-120PSQ

Pd-PowerDissipation

349 W

Pd-功率耗散

349 W

Qg-GateCharge

167 nC

Qg-栅极电荷

167 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

6.72 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

6.72 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

120 V

Vds-漏源极击穿电压

120 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V

上升时间

55.3 ns

下降时间

60.8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

9473pF @ 60V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

167nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7.9 毫欧 @ 25A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-262-3

其它名称

568-11431-5
934067448127
PSMN7R8-120PSQ-ND

典型关闭延迟时间

151.8 ns

功率-最大值

349W

包装

管件

商标

NXP Semiconductors

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

6.72 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

120 V

漏极连续电流

70 A

漏源极电压(Vdss)

120V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

70A (Tmb)

配置

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