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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN7R0-60YS,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN7R0-60YS,115价格参考¥2.95-¥6.30。NXP SemiconductorsPSMN7R0-60YS,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 89A(Tc) 117W(Tc) LFPAK56,Power-SO8。您可以下载PSMN7R0-60YS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN7R0-60YS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN7R0-60YS,115 是一款由 NXP Semiconductors 生产的功率 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),其主要应用场景包括但不限于以下几种: 1. 电源管理:该 MOSFET 可用于各种开关电源(SMPS)设计中,如 AC/DC 和 DC/DC 转换器。由于其低导通电阻(Rds(on) = 7 mΩ)和高电流处理能力(最大连续漏极电流 Id = 115 A),它能够在高效能电源系统中实现较低的功耗和热量产生。 2. 电机驱动:在电动工具、家用电器以及工业自动化设备中的无刷直流电机(BLDC)或步进电机驱动电路里,这款 MOSFET 可以作为开关元件来控制电机的运行状态,提供快速响应和平滑的速度调节。 3. 电池管理系统 (BMS):对于电动汽车、储能系统等需要精确监控和保护电池组的应用场合,PSMN7R0-60YS,115 可用于充放电路径上的开关,确保电池安全并延长使用寿命。 4. 负载切换与保护:在通信基站、服务器和其他关键任务电子系统中,此器件可以用来实现对不同负载的快速接通/断开操作,并且具备过流保护功能,防止因异常情况导致损坏。 5. 逆变器和 UPS 系统:在不间断电源(UPS)和太阳能逆变器等电力转换装置中,该 MOSFET 的高性能特性有助于提高效率,减少能量损失,同时支持更宽的工作温度范围(-55°C 至 +175°C),适应恶劣环境条件下的稳定工作。 总之,PSMN7R0-60YS,115 凭借其出色的电气性能和可靠性,在众多涉及功率控制和转换的领域都有着广泛的应用前景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 60V LFPAKMOSFET Single N-Channel 60V 356A 117W 9.3mOhms |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 63 A |
Id-连续漏极电流 | 63 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN7R0-60YS,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PSMN7R0-60YS,115 |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 117 W |
Pd-功率耗散 | 117 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.3 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 9.3 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 54 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 54 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.7 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.7 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2712pF @ 30V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6.4 毫欧 @ 15A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
其它名称 | 568-5596-1 |
功率-最大值 | 117W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 9.3 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
封装/箱体 | LFPAK-4 |
工厂包装数量 | 1500 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 54 V |
漏极连续电流 | 63 A |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 89A (Tc) |
配置 | Single |