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Datasheet下载- 型号： PSMN7R0-30YLC,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN7R0-30YLC,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN7R0-30YLC,115价格参考￥1.30-￥4.64。NXP SemiconductorsPSMN7R0-30YLC,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 61A（Tc） 48W（Tc） LFPAK56，Power-SO8。您可以下载PSMN7R0-30YLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN7R0-30YLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN7R0-30YLC,115 是一款由 Nexperia（前身为恩智浦半导体的一部分）生产的功率 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。这款器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和出色的热性能，适用于多种电力电子应用。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 PSMN7R0-30YLC,115 常用于开关电源（SMPS）和直流-直流转换器中。它能够高效地控制电流的通断，减少能量损失，提高系统的整体效率。该器件的低导通电阻特性使得它在大电流应用中表现出色，尤其适合需要高效率和小体积设计的场合。 2. 电机驱动 在电机控制系统中，MOSFET 被广泛用于驱动直流电机、步进电机和无刷直流电机（BLDC）。PSMN7R0-30YLC,115 可以作为H桥电路或半桥电路中的开关元件，实现电机的正反转、调速等功能。它的快速开关特性和低损耗有助于提高电机驱动系统的响应速度和能效。 3. 电池管理系统（BMS） 在电动汽车、储能系统和其他便携式设备中，电池管理系统需要精确控制电池的充放电过程。PSMN7R0-30YLC,115 可以用作电池组中的保护开关，防止过流、短路等异常情况的发生，确保电池的安全运行。 4. 负载切换 该器件还适用于负载切换应用，例如在服务器、通信设备和工业控制系统中，用于实现对不同负载的快速切换。它能够在毫秒级时间内完成开关操作，确保系统的稳定性和可靠性。 5. 逆变器 在太阳能逆变器和不间断电源（UPS）中，PSMN7R0-30YLC,115 可以作为功率级的关键元件，将直流电转换为交流电。其高效的开关特性和低损耗特性有助于提高逆变器的转换效率，降低发热，延长设备的使用寿命。 总的来说，PSMN7R0-30YLC,115 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各种需要高效功率控制的场景中，特别适合对能效和空间有严格要求的应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 61A LL LFPAKMOSFET N-chnl30V7.1m logic lvl MOSFET in LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 61 A |
| Id-连续漏极电流 | 61 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN7R0-30YLC,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN7R0-30YLC,115 |
| Pd-PowerDissipation | 48 W |
| Pd-功率耗散 | 48 W |
| Qg-GateCharge | 16 nC |
| Qg-栅极电荷 | 16 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.1 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.58 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.58 V |
| 上升时间 | 18 ns |
| 下降时间 | 7.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.95V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1057pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.1 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-7589-2 |
| 功率-最大值 | 48W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK33-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 61A （Tmb） |
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