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Datasheet下载- 型号： PSMN7R0-100BS,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN7R0-100BS,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN7R0-100BS,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN7R0-100BS,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 269W（Tc） D2PAK。您可以下载PSMN7R0-100BS,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN7R0-100BS,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PSMN7R0-100BS,118 是一款单通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具体应用场景如下： 1. 电源管理 该型号MOSFET常用于电源管理电路中，如开关电源、DC-DC转换器和线性稳压器。它能够高效地控制电流的通断，降低功耗并提高能效。其低导通电阻（Rds(on)）特性使其在高电流应用中表现出色，减少发热和能量损耗。 2. 电机驱动 PSMN7R0-100BS,118 可用于驱动小型直流电机或步进电机。其快速开关特性和低导通电阻有助于实现高效的电机控制，适用于消费电子、工业自动化和汽车电子等领域。例如，在电动工具、家用电器和机器人中，这款MOSFET可以确保电机平稳启动和停止，同时提供过流保护功能。 3. 电池管理系统 在电池管理系统（BMS）中，该MOSFET可用于电池充放电控制。它可以精确控制充电电流和电压，防止过充或过放现象，延长电池寿命。此外，MOSFET还可以作为负载开关，切断电池与负载之间的连接，确保系统安全。 4. 通信设备 在通信设备中，如路由器、交换机和基站，PSMN7R0-100BS,118 可用于信号放大和功率调节。它能够在高频条件下稳定工作，确保数据传输的可靠性和稳定性。其低寄生电容和快速开关速度有助于减少信号失真和干扰。 5. 汽车电子 该MOSFET广泛应用于汽车电子系统中，如车载充电器、LED照明控制和电动助力转向系统。其耐高温和抗电磁干扰能力强，能够在严苛的汽车环境中稳定运行。此外，MOSFET的紧凑封装设计有助于节省空间，满足现代汽车对小型化和轻量化的要求。 总结 PSMN7R0-100BS,118 具有低导通电阻、快速开关速度和良好的热性能，适用于多种应用场景，包括电源管理、电机驱动、电池管理系统、通信设备和汽车电子等。其高性能和可靠性使其成为这些领域中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 100A D2PAKMOSFET N-CH 100V 6.8 MOHM MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN7R0-100BS,118- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN7R0-100BS,118 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 269 W |
| Pd-功率耗散 | 269 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 12 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 90 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 90 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 4.3 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 4.3 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6686pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 125nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.8 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9705-1 |
| 功率-最大值 | 269W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tmb） |
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