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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN4R0-30YLDX由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN4R0-30YLDX价格参考¥1.28-¥1.28。NXP SemiconductorsPSMN4R0-30YLDX封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 95A(Tc) 64W(Tc) LFPAK56,Power-SO8。您可以下载PSMN4R0-30YLDX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN4R0-30YLDX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
ChannelMode | Enhancement |
Id-ContinuousDrainCurrent | 95 A |
Id-连续漏极电流 | 95 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品目录 | 半导体 |
描述 | MOSFET MOSFET N-CH 30V LFPAK |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN4R0-30YLDX |
产品型号 | PSMN4R0-30YLDX |
Pd-PowerDissipation | 64 W |
Pd-功率耗散 | 64 W |
Qg-GateCharge | 9.1 nC |
Qg-栅极电荷 | 9.1 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 4 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 4 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.74 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.74 V |
上升时间 | 21.2 ns |
下降时间 | 11.7 ns |
产品种类 | MOSFET |
典型关闭延迟时间 | 14.9 ns |
商标 | NXP Semiconductors |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/箱体 | LFPAK56-4 |
工厂包装数量 | 1500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Triple Source |