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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN2R6-40YS,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN2R6-40YS,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN2R6-40YS,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN2R6-40YS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN2R6-40YS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN2R6-40YS,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和出色的电流处理能力,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 该 MOSFET 可用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电压调节模块(VRM)。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗,提高效率,适合需要高效能的电源管理系统。 2. 电机驱动 PSMN2R6-40YS,115 的高电流承载能力和快速开关特性使其非常适合驱动小型直流电机或步进电机,广泛应用于消费电子、家用电器和工业自动化设备中。 3. 负载切换 在需要频繁开启或关闭负载的应用中,如汽车电子、LED 照明和电池管理系统(BMS),该 MOSFET 可作为负载开关,提供稳定的电流控制和保护功能。 4. 逆变器与变频器 该器件可用于设计逆变器和变频器电路,支持可再生能源系统(如太阳能逆变器)或家用电器(如空调、冰箱)中的变频控制。 5. 保护电路 由于其低导通电阻和良好的热性能,PSMN2R6-40YS,115 可用作过流保护或短路保护元件,确保电路在异常情况下免受损害。 综上所述,PSMN2R6-40YS,115 凭借其优异的电气特性和可靠性,适用于各种高性能、低功耗的电力电子应用领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 40V 100A LFPAKMOSFET N-CH 40V 2.8 mOhm Standard MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
Id-连续漏极电流 | 100 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN2R6-40YS,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PSMN2R6-40YS,115 |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 131 W |
Pd-功率耗散 | 131 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.6 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.6 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
上升时间 | 22 ns |
下降时间 | 15 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3776pF @ 12V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.8 毫欧 @ 25A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFETs - Arrays |
供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
其它名称 | 568-4906-6 |
典型关闭延迟时间 | 46 ns |
功率-最大值 | 131W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
封装/箱体 | LFPAK33-4 |
工厂包装数量 | 1500 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/LFPAK.html |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tc) |