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Datasheet下载- 型号： PSMN2R2-30YLC,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN2R2-30YLC,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN2R2-30YLC,115价格参考￥2.37-￥2.37。NXP SemiconductorsPSMN2R2-30YLC,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 141W（Tc） LFPAK56，Power-SO8。您可以下载PSMN2R2-30YLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN2R2-30YLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN2R2-30YLC,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的单个 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于 FET 类别。这种型号的 MOSFET 主要用于需要高效能和低导通电阻的应用场景中，尤其适用于大电流和高频率的工作环境。 以下是 PSMN2R2-30YLC,115 的一些典型应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS)：该 MOSFET 可以用作开关元件，在开关电源中实现高效的能量转换。它能够快速切换导通和截止状态，减少功率损耗。 - DC-DC 转换器：在 DC-DC 转换器中，MOSFET 作为主开关或同步整流器，帮助提高转换效率并降低热损耗。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机 (BLDC) 和 步进电机：MOSFET 在电机驱动电路中起到关键作用，控制电机的启动、停止和速度调节。其低导通电阻特性有助于减少发热，延长设备寿命。 - 伺服电机：在精密控制系统中，MOSFET 可以精确控制电流，确保电机运行的稳定性和响应速度。 3. 消费电子 - 笔记本电脑和智能手机：这些设备中的电源管理和电池充电电路通常使用 MOSFET 来实现高效的电源转换和保护功能。 - 音频放大器：MOSFET 可用于音频信号的放大和输出，提供高质量的声音表现。 4. 工业自动化 - 可编程逻辑控制器 (PLC) 和 工业机器人：MOSFET 用于控制各种传感器、执行器和电机，确保工业设备的可靠运行。 - 逆变器：在太阳能逆变器和其他电力转换系统中，MOSFET 是核心组件之一，负责将直流电转换为交流电。 5. 汽车电子 - 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV)：MOSFET 广泛应用于车载充电器、电池管理系统 (BMS) 和电动机驱动电路中，确保车辆的高效能和安全性。 - 车身控制模块 (BCM)：用于控制车灯、雨刷等辅助系统的电源管理和信号传输。 总之，PSMN2R2-30YLC,115 凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于各种需要高效能和低功耗的领域，特别适合于对电流处理能力和开关速度有较高要求的应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAKMOSFET N-Ch 30V 2.15mOhms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN2R2-30YLC,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN2R2-30YLC,115 |
| Pd-PowerDissipation | 141 W |
| Pd-功率耗散 | 141 W |
| Qg-GateCharge | 55 nC |
| Qg-栅极电荷 | 55 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.15 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.15 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.49 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.49 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.95V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3310pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 55nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.15 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-6728-6 |
| 功率-最大值 | 141W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tmb） |
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