ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > PSMN2R0-30YLE,115
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN2R0-30YLE,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN2R0-30YLE,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN2R0-30YLE,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 272W(Tc) LFPAK56,Power-SO8。您可以下载PSMN2R0-30YLE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN2R0-30YLE,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN2R0-30YLE,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。这款 MOSFET 具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 PSMN2R0-30YLE,115 常用于电源管理系统中,如 DC-DC 转换器、降压和升压转换器等。其低导通电阻(Rds(on))特性可以有效减少功率损耗,提高转换效率。在这些应用中,MOSFET 作为开关元件,能够快速切换导通和关断状态,确保电源系统的稳定性和高效性。 2. 电机驱动 该 MOSFET 适用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机和其他类型的电机驱动电路。由于其出色的开关特性和低导通电阻,它可以有效地控制电机的启动、停止和速度调节,同时减少发热和能量损失。 3. 电池管理系统(BMS) 在电池管理系统中,PSMN2R0-30YLE,115 可以用作充放电保护开关或负载开关。它能够精确控制电流的流向,防止过充、过放和短路等异常情况,从而延长电池寿命并提高安全性。 4. 消费电子产品 这款 MOSFET 广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中。它可以用作电源开关、负载开关或信号切换元件,帮助设备实现高效的电源管理和信号传输。 5. 工业自动化 在工业自动化领域,PSMN2R0-30YLE,115 可用于可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器和变频器等设备中。其高可靠性和低功耗特性使其能够在恶劣的工业环境中长期稳定工作。 6. 汽车电子 该 MOSFET 也适用于汽车电子系统,如电动助力转向系统(EPS)、车身控制系统和电池管理系统等。它能够承受较高的工作温度和电压波动,确保汽车电子系统的可靠性和安全性。 总之,PSMN2R0-30YLE,115 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各种需要高效功率控制和低功耗的场景中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V LFPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | PSMN2R0-30YLE,115 |
PCN组件/产地 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.15V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5217pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 87nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2 毫欧 @ 25A,10V |
供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
其它名称 | 568-10285-6 |
功率-最大值 | 272W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
工具箱 | /product-detail/zh/NXPMOSFET-DESIGNKIT/NXPMOSFET-DESIGNKIT-ND/4428862 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/LFPAK.html |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tmb) |