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Datasheet下载- 型号： PSMN2R0-30YL,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN2R0-30YL,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN2R0-30YL,115价格参考￥2.53-￥2.53。NXP SemiconductorsPSMN2R0-30YL,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 97W（Tc） LFPAK56，Power-SO8。您可以下载PSMN2R0-30YL,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN2R0-30YL,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN2R0-30YL,115是由Nexperia USA Inc.制造的一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。这款MOSFET属于功率MOSFET类别，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电力电子应用。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 PSMN2R0-30YL,115常用于电源管理系统中，如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。其低导通电阻（Rds(on)）能够减少传导损耗，提高电源转换效率。此外，它还适用于电池管理系统（BMS），用于控制电池的充放电过程，确保电流在安全范围内流动。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，MOSFET作为开关元件，用于控制电机的启动、停止和调速。PSMN2R0-30YL,115的快速开关特性和低导通电阻使其非常适合驱动小型直流电机、步进电机或无刷直流电机（BLDC）。它可以承受较大的电流波动，并且在高频开关条件下保持高效运行。 3. 工业自动化 在工业自动化领域，PSMN2R0-30YL,115可用于各种开关控制电路，如继电器替代、电磁阀驱动等。由于其可靠性高、响应速度快，能够在复杂的工业环境中稳定工作，适用于工厂自动化、机器人控制等场景。 4. 消费电子产品 这款MOSFET也广泛应用于消费电子产品中，例如笔记本电脑、智能手机和平板电脑的充电电路。它可以帮助实现高效的电源管理，延长设备的续航时间。此外，在音频放大器中，MOSFET可以用于信号放大的开关电源部分，提供稳定的电源输出。 5. 汽车电子 在汽车电子系统中，PSMN2R0-30YL,115可用于车载电源管理、电动助力转向（EPS）、电子刹车系统（EBS）等。其出色的耐热性能和抗干扰能力使得它能够在恶劣的汽车环境下可靠工作，确保车辆的安全性和稳定性。 总之，PSMN2R0-30YL,115凭借其优异的电气特性，适用于广泛的电力电子应用，特别是在需要高效、快速响应和低功耗的场合表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAKMOSFET <=30V N CH TRENCHFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN2R0-30YL,115TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN2R0-30YL,115 |
| Pd-PowerDissipation | 97 W |
| Pd-功率耗散 | 97 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 65 ns |
| 下降时间 | 28 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3980pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 64nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-4679-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 63 ns |
| 功率-最大值 | 97W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 100 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/LFPAK.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Triple Source |
| 零件号别名 | PSMN2R0-30YL T/R |
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