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Datasheet下载- 型号： PSMN1R8-40YLC,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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PSMN1R8-40YLC,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN1R8-40YLC,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN1R8-40YLC,115价格参考￥5.02-￥9.23。NXP SemiconductorsPSMN1R8-40YLC,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 272W（Tc） LFPAK56，Power-SO8。您可以下载PSMN1R8-40YLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN1R8-40YLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN1R8-40YLC,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.95V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6680pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 96nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.8 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-10156-1 |
| 功率-最大值 | 272W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tmb） |
