ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > PSMN1R5-40PS,127
Datasheet下载- 型号： PSMN1R5-40PS,127
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN1R5-40PS,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN1R5-40PS,127价格参考￥询价-￥询价。NXP SemiconductorsPSMN1R5-40PS,127封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 338W（Tc） TO-220AB。您可以下载PSMN1R5-40PS,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN1R5-40PS,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN1R5-40PS,127 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款单通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电力电子应用。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：PSMN1R5-40PS,127 可用于高效 DC-DC 转换器中的同步整流或主开关，帮助实现高效的电压转换。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高转换效率。 - 线性稳压器：在一些低压差线性稳压器（LDO）设计中，该 MOSFET 可作为输出开关或旁路元件，确保稳定的输出电压。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机（BLDC）驱动：在 BLDC 电机驱动电路中，MOSFET 作为功率级的一部分，负责电流的开关控制。PSMN1R5-40PS,127 的快速开关特性和低导通电阻使其适合此类应用，能够有效减少发热并提高系统效率。 - 步进电机驱动：在步进电机驱动器中，该 MOSFET 可用于电流斩波控制，确保电机平稳运行并减少噪声。 3. 电池管理系统（BMS） - 电池保护电路：PSMN1R5-40PS,127 可用于电池组的充放电保护电路中，作为充电路径的开关或放电时的负载开关，确保电池的安全使用。 - 电量监测：在电池管理系统中，该 MOSFET 还可以用于电流检测回路，帮助精确测量电池的充放电电流。 4. 工业自动化 - PLC 输出模块：在可编程逻辑控制器（PLC）中，MOSFET 常用于输出模块，驱动外部负载如继电器、指示灯等。PSMN1R5-40PS,127 的高可靠性和快速响应特性使其非常适合此类应用。 - 伺服控制系统：在伺服控制系统中，该 MOSFET 可用于驱动伺服电机，提供精确的电流控制，确保系统的稳定性和精度。 5. 消费电子产品 - 笔记本电脑和智能手机：在这些便携式设备中，PSMN1R5-40PS,127 可用于电源管理芯片的外围电路，帮助实现高效的电源分配和管理。 - 智能家居设备：在智能插座、智能照明等设备中，该 MOSFET 可用于负载控制，确保设备的安全和高效运行。 总的来说，PSMN1R5-40PS,127 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各类需要高效功率转换和控制的场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 120A TO220ABMOSFET N-Ch 40V 1.6 mOhms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 120 A |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN1R5-40PS,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN1R5-40PS,127 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 338 W |
| Pd-功率耗散 | 338 W |
| Qg-GateCharge | 133 nC |
| Qg-栅极电荷 | 133 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9710pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 136nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.6 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-6716 |
| 功率-最大值 | 338W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tmb） |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
