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  • 型号: PSMN1R5-30YL,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PSMN1R5-30YL,115产品简介:

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PSMN1R5-30YL,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款单通道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。这款晶体管具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于多种电力电子应用。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   PSMN1R5-30YL,115 常用于各种电源管理系统中,如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC)和电池管理系统(BMS)。它的低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高系统的效率。此外,它能够承受较高的电流,适合大功率应用。

 2. 电机驱动
   在电机驱动电路中,MOSFET 被用作开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。PSMN1R5-30YL,115 的快速开关特性和低导通电阻使其成为电机驱动的理想选择,尤其是在需要高效能和低发热的应用中,如电动工具、家用电器和工业自动化设备。

 3. 汽车电子
   该型号的 MOSFET 在汽车电子领域也有广泛应用,例如用于车载充电器、LED 照明系统、电动助力转向系统(EPS)等。它能够承受汽车环境中的温度变化和电压波动,确保系统的稳定性和可靠性。

 4. 消费电子产品
   在消费电子产品中,PSMN1R5-30YL,115 可用于笔记本电脑、智能手机和平板电脑的充电电路、USB PD(Power Delivery)控制器等。它的小型封装和高效性能使其非常适合便携式设备的设计。

 5. 工业控制
   在工业控制系统中,MOSFET 用于控制各种负载,如继电器、电磁阀和加热元件。PSMN1R5-30YL,115 的高耐压(30V)和大电流能力使其能够在恶劣的工业环境中稳定工作,适用于工厂自动化、机器人技术和智能电网等领域。

 总结
PSMN1R5-30YL,115 凭借其优异的电气特性,广泛应用于电源管理、电机驱动、汽车电子、消费电子产品和工业控制等多个领域。它不仅能够提供高效的功率转换,还能确保系统的可靠性和稳定性,满足不同应用场景的需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V LFPAKMOSFET N-CHAN 30V 100A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 A

Id-连续漏极电流

100 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN1R5-30YL,115-

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产品型号

PSMN1R5-30YL,115

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

109 W

Pd-功率耗散

109 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

1.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.15V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5057pF @ 12V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

77.9nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.5 毫欧 @ 15A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

LFPAK56, Power-SO8

其它名称

568-5589-2
934064636115
PSMN1R530YL115

功率-最大值

109W

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-100,SOT-669,4-LFPAK

封装/箱体

LFPAK33-4

工厂包装数量

1500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,500

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100A (Tc)

配置

Single

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