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PSMN1R5-30YL,115产品简介:
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PSMN1R5-30YL,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款单通道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。这款晶体管具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于多种电力电子应用。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 PSMN1R5-30YL,115 常用于各种电源管理系统中,如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC)和电池管理系统(BMS)。它的低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高系统的效率。此外,它能够承受较高的电流,适合大功率应用。 2. 电机驱动 在电机驱动电路中,MOSFET 被用作开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。PSMN1R5-30YL,115 的快速开关特性和低导通电阻使其成为电机驱动的理想选择,尤其是在需要高效能和低发热的应用中,如电动工具、家用电器和工业自动化设备。 3. 汽车电子 该型号的 MOSFET 在汽车电子领域也有广泛应用,例如用于车载充电器、LED 照明系统、电动助力转向系统(EPS)等。它能够承受汽车环境中的温度变化和电压波动,确保系统的稳定性和可靠性。 4. 消费电子产品 在消费电子产品中,PSMN1R5-30YL,115 可用于笔记本电脑、智能手机和平板电脑的充电电路、USB PD(Power Delivery)控制器等。它的小型封装和高效性能使其非常适合便携式设备的设计。 5. 工业控制 在工业控制系统中,MOSFET 用于控制各种负载,如继电器、电磁阀和加热元件。PSMN1R5-30YL,115 的高耐压(30V)和大电流能力使其能够在恶劣的工业环境中稳定工作,适用于工厂自动化、机器人技术和智能电网等领域。 总结 PSMN1R5-30YL,115 凭借其优异的电气特性,广泛应用于电源管理、电机驱动、汽车电子、消费电子产品和工业控制等多个领域。它不仅能够提供高效的功率转换,还能确保系统的可靠性和稳定性,满足不同应用场景的需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 30V LFPAKMOSFET N-CHAN 30V 100A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
Id-连续漏极电流 | 100 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN1R5-30YL,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PSMN1R5-30YL,115 |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 109 W |
Pd-功率耗散 | 109 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.15V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5057pF @ 12V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 77.9nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.5 毫欧 @ 15A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
其它名称 | 568-5589-2 |
功率-最大值 | 109W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
封装/箱体 | LFPAK33-4 |
工厂包装数量 | 1500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1,500 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tc) |
配置 | Single |