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  • 型号: PSMN1R5-30YL,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PSMN1R5-30YL,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN1R5-30YL,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN1R5-30YL,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN1R5-30YL,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 109W(Tc) LFPAK56,Power-SO8。您可以下载PSMN1R5-30YL,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN1R5-30YL,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V LFPAKMOSFET N-CHAN 30V 100A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 A

Id-连续漏极电流

100 A

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN1R5-30YL,115-

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产品型号

PSMN1R5-30YL,115

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

109 W

Pd-功率耗散

109 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

1.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.15V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5057pF @ 12V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

77.9nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.5 毫欧 @ 15A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

LFPAK56, Power-SO8

其它名称

568-5589-2
934064636115
PSMN1R530YL115

功率-最大值

109W

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-100,SOT-669,4-LFPAK

封装/箱体

LFPAK33-4

工厂包装数量

1500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,500

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100A (Tc)

配置

Single

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