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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN1R2-30YLDX由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN1R2-30YLDX价格参考。NXP SemiconductorsPSMN1R2-30YLDX封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 194W(Tc) LFPAK56,Power-SO8。您可以下载PSMN1R2-30YLDX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN1R2-30YLDX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN1R2-30YLDX 是由 Nexperia USA Inc. 生产的单个 FET(场效应晶体管)MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该型号的 MOSFET 主要应用于需要高效、低损耗和高可靠性的功率转换和开关应用中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理: - PSMN1R2-30YLDX 适用于各种电源管理系统,如 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器和开关模式电源 (SMPS)。它能够在这些系统中提供高效的功率传输,减少能量损失并提高整体效率。 2. 电机驱动: - 在电机驱动应用中,该 MOSFET 可用于控制电机的速度和方向。它的低导通电阻 (Rds(on)) 特性使得在高电流情况下也能保持较低的功耗,从而延长设备的使用寿命并提高性能。 3. 电池管理系统 (BMS): - 在电动汽车 (EV) 和储能系统中,PSMN1R2-30YLDX 可用于电池充放电保护电路。它能够快速响应过流和短路情况,确保电池的安全运行。 4. 工业自动化: - 该 MOSFET 广泛应用于工业自动化设备中的开关电路,如可编程逻辑控制器 (PLC) 和伺服驱动器。其高可靠性和耐用性使其能够在严苛的工业环境中稳定工作。 5. 消费电子: - 在消费电子产品中,如笔记本电脑、智能手机和平板电脑的充电器中,PSMN1R2-30YLDX 可以实现高效的功率转换,同时保持较小的尺寸和较低的成本。 6. 通信设备: - 在通信基站和网络设备中,该 MOSFET 可用于电源模块和信号调理电路,确保设备在高温和高负载条件下仍能稳定运行。 7. 太阳能逆变器: - 在太阳能发电系统中,PSMN1R2-30YLDX 可用于逆变器中的开关元件,将直流电转换为交流电,以供家庭和电网使用。其高效和低损耗特性有助于提高系统的整体效率。 总之,PSMN1R2-30YLDX 的低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度使其成为多种功率转换和开关应用的理想选择,广泛应用于电源管理、电机驱动、电池管理、工业自动化、消费电子、通信设备和太阳能逆变器等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 100A 56LFPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | PSMN1R2-30YLDX |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4616pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 68nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.24 毫欧 @ 25A, 10V |
供应商器件封装 | * |
其它名称 | 934068235115 |
功率-最大值 | 194W |
包装 | * |
安装类型 | * |
封装/外壳 | * |
标准包装 | 1,500 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tmb) |