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Datasheet下载- 型号： PSMN1R1-25YLC,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN1R1-25YLC,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN1R1-25YLC,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN1R1-25YLC,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 25V 100A（Tc） 215W（Tc） LFPAK56，Power-SO8。您可以下载PSMN1R1-25YLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN1R1-25YLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN1R1-25YLC,115 是一款由 NXP Semiconductors 生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。它具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高电流处理能力，适用于多种电力电子应用。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 PSMN1R1-25YLC,115 常用于开关电源（SMPS）和直流-直流转换器中。由于其低导通电阻，能够减少传导损耗，提高电源转换效率。它适用于笔记本电脑适配器、手机充电器等便携式设备的电源管理系统。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，该 MOSFET 可以用于控制电机的启动、停止和调速。它适合应用于小型电动工具、家用电器（如吸尘器、电风扇）、以及工业自动化设备中的步进电机和无刷直流电机驱动电路。 3. 电池管理系统（BMS） 在电动汽车、电动自行车和其他电池供电设备中，PSMN1R1-25YLC,115 可用于电池充放电控制电路，确保电池在安全范围内工作。它的低导通电阻有助于减少发热，延长电池寿命并提高系统可靠性。 4. 负载开关 该 MOSFET 还可用于负载开关应用，例如在服务器、通信设备和消费电子产品中实现电源的快速接通和断开。通过精确控制电流流动，它可以保护电路免受过流、短路等异常情况的影响。 5. 逆变器和 UPS 系统 在不间断电源（UPS）和太阳能逆变器中，PSMN1R1-25YLC,115 可以作为关键的开关元件，帮助实现高效的能量转换。它能够承受较高的电流波动，并且在高频开关条件下保持较低的损耗。 6. 汽车电子 该器件符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车电子应用，如车身控制模块、电动助力转向系统（EPS）、LED 驱动等。其高可靠性和耐高温特性使其能够在严苛的汽车环境中稳定工作。 总之，PSMN1R1-25YLC,115 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各类高效能、低功耗的电力电子设备中，特别适合需要频繁开关和大电流处理的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAKMOSFET N-Ch 25V 1.15 mOhms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN1R1-25YLC,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN1R1-25YLC,115 |
| Pd-PowerDissipation | 215 W |
| Pd-功率耗散 | 215 W |
| Qg-GateCharge | 83 nC |
| Qg-栅极电荷 | 83 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.15 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.15 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.43 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.43 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.95V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5287pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 83nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.15 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-6726-1 |
| 功率-最大值 | 215W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tmb） |
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