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  • 型号: PSMN130-200D,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PSMN130-200D,118产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN130-200D,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN130-200D,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN130-200D,118封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 20A(Tc) 150W(Tc) DPAK。您可以下载PSMN130-200D,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN130-200D,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 200V 20A DPAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PSMN130-200D,118

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2470pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

65nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

130 毫欧 @ 25A,10V

供应商器件封装

DPAK

其它名称

568-8114-1

功率-最大值

150W

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

20A (Tc)

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