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型号： PSMN0R9-30YLDX
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN0R9-30YLDX由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN0R9-30YLDX价格参考。NXP SemiconductorsPSMN0R9-30YLDX封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 30V 300A 291W LFPAK56，Power-SO8。您可以下载PSMN0R9-30YLDX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN0R9-30YLDX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PSMN0R9-30YLDX 是由 Nexperia USA Inc. 生产的单通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子设备中。该型号属于低电阻、高效率的功率 MOSFET，具有出色的开关性能和较低的导通电阻 (Rds(on))，使其在多种应用场景中表现出色。

 应用场景：

1. 电源管理：
   PSMN0R9-30YLDX 适用于各类电源管理系统，如 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）等。其低导通电阻有助于减少能量损耗，提高转换效率，特别适合用于笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式设备中的电源管理模块。

2. 电机驱动：
   在电机驱动应用中，该 MOSFET 可以用于控制电机的速度和方向。其快速开关特性和低导通电阻能够有效降低发热，延长设备寿命，适用于无刷直流电机（BLDC）、步进电机等场合。

3. 负载开关：
   作为负载开关，PSMN0R9-30YLDX 可以实现对不同负载的快速切换，确保电路的安全性和稳定性。它常用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域，特别是在需要频繁启停或电流保护的应用中。

4. 电池管理：
   在电池管理系统（BMS）中，该 MOSFET 可以用于电池充放电控制、过流保护和短路保护等功能。其低导通电阻有助于减少电池内部的能量损耗，提升电池的整体性能和安全性。

5. 通信设备：
   在通信基站、路由器和交换机等设备中，PSMN0R9-30YLDX 可以用于信号调理和电源管理，确保设备的稳定运行。其高频开关特性使其在高速数据传输和无线通信领域表现出色。

6. 汽车电子：
   在汽车电子系统中，该 MOSFET 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、车身控制系统等。其耐高温和抗电磁干扰能力使其能够在严苛的汽车环境中稳定工作。

总的来说，PSMN0R9-30YLDX 凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于多种电力电子设备，尤其在需要高效能和低损耗的应用中表现突出。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 30V 100A 56LFPAK
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	PSMN0R9-30YLDX
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.2V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	7668pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	109nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	0.87 毫欧 @ 25A， 10V
供应商器件封装	*
其它名称	934068233115
功率-最大值	349W
包装	*
安装类型	*
封装/外壳	*
标准包装	1,500
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	100A （Tmb）