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Datasheet下载- 型号： PSMN070-200P,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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PSMN070-200P,127产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN070-200P,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN070-200P,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN070-200P,127封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 200V 35A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB。您可以下载PSMN070-200P,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN070-200P,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 35A TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN070-200P,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4570pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 77nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 70 毫欧 @ 17A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-5779 |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Tmb） |
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