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  • 型号: PSMN059-150Y,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PSMN059-150Y,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN059-150Y,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN059-150Y,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN059-150Y,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 43A(Tc) 113W(Tc) LFPAK56,Power-SO8。您可以下载PSMN059-150Y,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN059-150Y,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PSMN059-150Y,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号的 MOSFET 具有低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要的应用领域:

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS):PSMN059-150Y,115 的低导通电阻特性使其非常适合用作开关电源中的功率开关,能够高效地进行电压转换。
   - DC-DC 转换器:在降压或升压转换器中,该 MOSFET 可作为主开关或同步整流器,提供高效的电流传输并减少能量损耗。
   - 负载开关:用于动态控制电路中的电流流动,保护下游电路免受过载或短路的影响。

 2. 电机驱动
   - 无刷直流电机 (BLDC) 驱动:该 MOSFET 可用于 BLDC 电机的逆变桥中,通过 PWM 信号精确控制电机转速和方向。
   - 步进电机驱动:在步进电机控制系统中,该器件可实现高效的电流切换,支持精确的位置控制。

 3. 电池管理系统 (BMS)
   - 电池充放电控制:用于锂离子电池或其他类型电池的保护电路中,控制充电和放电过程中的电流流动。
   - 过流保护:通过快速响应过流事件,保护电池组和其他电路元件。

 4. 工业自动化
   - 固态继电器 (SSR):替代传统机械继电器,用于工业设备中的开关控制,具有更高的可靠性和更长的使用寿命。
   - 传感器接口:用于驱动工业传感器或执行器,确保信号传输的稳定性和效率。

 5. 消费电子产品
   - 笔记本电脑适配器:在电源适配器中作为功率开关,提高能源转换效率。
   - 家电控制:如空调、冰箱等家用电器中的风扇或压缩机驱动电路。

 6. 汽车电子
   - 车载电子系统:用于汽车音响、导航系统等设备的电源管理。
   - 电动助力转向 (EPS):在 EPS 系统中,该 MOSFET 可用于驱动电机,提供精确的助力控制。
   - LED 照明:用于汽车 LED 灯光系统的驱动电路,确保稳定的电流输出。

 总结
PSMN059-150Y,115 凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于电源管理、电机驱动、电池保护、工业自动化以及消费和汽车电子等领域。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效电力转换和控制的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 150V 43A LFPAKMOSFET Trans MOSFET N-CH 40V 75A 5-Pin

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

43 A

Id-连续漏极电流

43 A

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN059-150Y,115-

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产品型号

PSMN059-150Y,115

Pd-PowerDissipation

113 W

Pd-功率耗散

113 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

59 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

59 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

150 V

Vds-漏源极击穿电压

150 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

42 ns

下降时间

11.1 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1529pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

27.9nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

59 毫欧 @ 12A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

LFPAK56, Power-SO8

其它名称

568-4734-6

典型关闭延迟时间

54.2 ns

功率-最大值

113W

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-100,SOT-669,4-LFPAK

封装/箱体

LFPAK-4

工厂包装数量

1500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

43A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single Triple Source

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