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PSMN039-100YS,115产品简介:
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Nexperia USA Inc.生产的PSMN039-100YS,115是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于FET(场效应晶体管)类别。这款器件具有多种应用场景,尤其适用于需要高效、低损耗和高可靠性的电路设计中。 1. 电源管理 PSMN039-100YS,115常用于电源管理系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等。其低导通电阻(Rds(on))特性使得在导通状态下功耗极低,从而提高了电源转换效率。此外,该MOSFET的快速开关特性有助于减少开关损耗,适合高频应用。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中,PSMN039-100YS,115可以作为功率级的一部分,用于控制电机的启停、速度调节等。它能够承受较大的电流波动,并且具备良好的热稳定性,确保在长时间运行中保持性能稳定。常见的应用包括无刷直流电机(BLDC)、步进电机等。 3. 电池管理系统(BMS) 该MOSFET可用于电池管理系统中的充放电控制。通过精确控制充电电流和电压,它可以防止电池过充或过放,延长电池寿命。此外,在电池组并联或串联时,PSMN039-100YS,115可以用作均衡电路中的开关元件,确保各个电池单元的电压一致。 4. 负载切换 在消费电子、工业控制等领域,PSMN039-100YS,115可以用于负载切换电路中,实现对不同负载的快速通断控制。例如,在智能家电中,它可以用来控制风扇、加热元件等设备的开启与关闭,响应速度快,可靠性高。 5. 通信设备 在通信基站、路由器等设备中,PSMN039-100YS,115可用于信号调理电路、电源模块等部分。它的低噪声特性和高开关速度使其能够在高速数据传输环境中保持稳定工作,同时减少电磁干扰(EMI)。 6. 汽车电子 汽车电子系统中,如电动助力转向(EPS)、车身控制系统(BCM)等,PSMN039-100YS,115可以作为关键的功率开关元件。它符合AEC-Q101标准,确保在严苛的汽车环境中长期稳定工作。 总的来说,PSMN039-100YS,115凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各种电力电子设备中,特别是在需要高效能和高可靠性的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH LFPAKMOSFET Single NChannel 100V 112A 74W 71mOhms |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 20 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN039-100YS,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PSMN039-100YS,115 |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 74 W |
Pd-功率耗散 | 74 W |
RdsOn-漏源导通电阻 | 71 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 90 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1847pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 39.5 毫欧 @ 15A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
其它名称 | 568-5586-1 |
功率-最大值 | 74W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 71 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
封装/箱体 | LFPAK-4 |
工厂包装数量 | 1500 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 90 V |
漏极连续电流 | 20 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 28.1A (Tc) |
配置 | Single |