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  • 型号: PSMN030-150B,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PSMN030-150B,118产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 150V 55.5A D2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PSMN030-150B,118

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3680pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

98nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

30 毫欧 @ 25A,10V

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

568-5950-1

功率-最大值

250W

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

55.5A (Tc)

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