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Datasheet下载- 型号： PSMN022-30PL,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN022-30PL,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN022-30PL,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN022-30PL,127封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 30V 30A（Tc） 41W（Tc） TO-220AB。您可以下载PSMN022-30PL,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN022-30PL,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN022-30PL,127 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款单通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。这款晶体管属于 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于需要高效能、低功耗和高可靠性的电子设备中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 PSMN022-30PL,127 在电源管理电路中表现出色，尤其适用于开关电源（SMPS）和直流-直流转换器。其低导通电阻（Rds(on)）使得在导通状态下功率损耗极小，从而提高整体效率。此外，它可以在高频下工作，适合用于同步整流电路，进一步提升电源转换效率。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于小型电机驱动器中，如步进电机、无刷直流电机（BLDC）等。其快速开关特性和低导通电阻有助于减少发热，延长电机的使用寿命。此外，它还可以用于电动工具、家用电器（如吸尘器、电风扇）中的电机控制。 3. 负载切换 在负载切换应用中，PSMN022-30PL,127 可以作为开关元件，控制电流的通断。它适用于各种需要精确电流控制的场景，如汽车电子系统中的负载切换、LED 照明控制、电池管理系统（BMS）等。其快速响应时间和低功耗特性使其成为这些应用的理想选择。 4. 保护电路 该 MOSFET 还可以用于过流保护、短路保护等电路中。通过检测电流大小并迅速切断电路，它可以有效防止因过载或短路导致的设备损坏。例如，在USB充电器、适配器等设备中，MOSFET可以用作保护元件，确保系统的安全性和稳定性。 5. 信号放大与缓冲 尽管主要作为开关器件使用，但在某些情况下，PSMN022-30PL,127 也可以用于信号放大和缓冲。例如，在音频设备或传感器接口中，它可以用来增强信号强度，确保信号传输的稳定性和准确性。 总之，PSMN022-30PL,127 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各类电子设备中，尤其是在需要高效能、低功耗和快速响应的应用场景中表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V TO220ABMOSFET N-CHAN 30V 30A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 30 A |
| Id-连续漏极电流 | 30 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN022-30PL,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN022-30PL,127 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 41 W |
| Pd-功率耗散 | 41 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 22 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 22 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 447pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-7512-5 |
| 功率-最大值 | 41W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tmb） |
| 配置 | Single |
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