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  • 型号: PSMN022-30BL,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN022-30BL,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN022-30BL,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN022-30BL,118封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 41W(Tc) D2PAK。您可以下载PSMN022-30BL,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN022-30BL,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PSMN022-30BL,118 是一款由 NXP Semiconductors 生产的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。该器件具有低导通电阻(Rds(on))和高开关速度的特点,适用于多种电力电子应用场合。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   PSMN022-30BL,118 常用于直流-直流 (DC-DC) 转换器、开关电源 (SMPS) 和电池管理系统 (BMS) 中。由于其低导通电阻特性,能够在高频开关状态下保持较低的功耗,提高电源转换效率。此外,它还可以用于负载开关,实现对不同电路模块的快速通断控制。

 2. 电机驱动
   在小型电机驱动应用中,如无人机、电动工具、家用电器等,PSMN022-30BL,118 可以作为驱动电路中的关键元件。它能够承受较高的电流,并且具备快速响应能力,确保电机启动、运行和停止时的稳定性和可靠性。

 3. 电池保护与充电管理
   该器件可用于锂离子电池组的保护电路中,防止过充、过放、短路等异常情况的发生。通过精确控制电池的充放电电流,延长电池寿命并提高安全性。此外,在快充技术中,PSMN022-30BL,118 可以帮助实现高效的电流调节和电压控制。

 4. 汽车电子
   在汽车电子系统中,如车载充电器、LED 照明、电动助力转向 (EPS) 等,PSMN022-30BL,118 具有广泛的应用前景。它能够在高温环境下保持稳定的性能,并且符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车级应用。

 5. 工业自动化
   在工业控制系统中,如可编程逻辑控制器 (PLC)、伺服驱动器等,PSMN022-30BL,118 可用于信号隔离、功率放大和负载驱动等环节。其高可靠性和耐用性使其成为工业设备的理想选择。

总之,PSMN022-30BL,118 凭借其出色的电气性能和广泛的适用性,成为众多电力电子应用中的关键组件。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 30V 30A D2PAKMOSFET Std N-chanMOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

30 A

Id-连续漏极电流

30 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN022-30BL,118-

数据手册

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产品型号

PSMN022-30BL,118

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

41 W

Pd-功率耗散

41 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

22.6 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

22.6 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.15V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

447pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

9nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

22.6 毫欧 @ 5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

568-9487-1

功率-最大值

41W

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

30A (Tc)

配置

Single

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