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Datasheet下载- 型号： PSMN022-30BL,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN022-30BL,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN022-30BL,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN022-30BL,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 41W（Tc） D2PAK。您可以下载PSMN022-30BL,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN022-30BL,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN022-30BL,118 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款单通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于 FET 类型。该型号具有低导通电阻和高开关速度，适用于多种应用场景，尤其在需要高效能和低功耗的电路中表现出色。 主要应用场景： 1. 电源管理： - DC-DC 转换器：用于升压、降压或升降压转换器中的开关元件，能够有效提高转换效率，减少能量损耗。 - 线性稳压器：作为旁路开关或负载开关，帮助实现更稳定的电压输出，同时降低功耗。 2. 电机驱动： - 无刷直流电机（BLDC）控制：用于电机驱动电路中的功率级，能够快速响应电流变化，确保电机平稳运行。 - 步进电机驱动：通过精确控制电流，实现电机的精准定位和速度控制。 3. 电池管理系统（BMS）： - 充放电保护：作为电池组的充放电路径中的开关，能够在过充、过放或短路等异常情况下迅速切断电流，保护电池安全。 - 电量监测：与电流检测电阻配合使用，帮助监测电池的充放电状态。 4. 通信设备： - 信号切换：用于射频前端模块中的开关，实现不同频段或模式之间的快速切换。 - 功率放大器控制：作为功率放大器的使能开关，根据需求控制放大器的工作状态，优化系统性能。 5. 消费电子： - 智能家电：如智能音箱、扫地机器人等设备中的电源管理和电机控制部分，提供高效且可靠的开关功能。 - 便携式设备：如手机、平板电脑等移动设备中的电源管理单元，帮助延长电池续航时间。 6. 工业自动化： - 传感器接口：用于传感器信号的开关控制，确保信号传输的稳定性和准确性。 - PLC 控制系统：作为执行器的驱动元件，实现对各种工业设备的精确控制。 总之，PSMN022-30BL,118 以其优异的电气特性，在多个领域中都能发挥重要作用，特别是在需要高效、可靠和低功耗的场合下表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 30A D2PAKMOSFET Std N-chanMOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 30 A |
| Id-连续漏极电流 | 30 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN022-30BL,118- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN022-30BL,118 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 41 W |
| Pd-功率耗散 | 41 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 22.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 22.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 447pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22.6 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9487-1 |
| 功率-最大值 | 41W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
| 配置 | Single |
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