图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: PSMN018-80YS,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

PSMN018-80YS,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN018-80YS,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN018-80YS,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN018-80YS,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 80V 45A(Tc) 89W(Tc) LFPAK56,Power-SO8。您可以下载PSMN018-80YS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN018-80YS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 生产的 PSMN018-80YS,115 是一款 N 沟道 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS):该 MOSFET 具有低导通电阻(Rds(on))和高效率,适合用于开关电源中的功率开关,例如 DC-DC 转换器。
   - 负载开关:在便携式设备中,PSMN018-80YS 可用作高效的负载开关,控制电路的通断以节省功耗。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:适用于驱动小型风扇、泵或玩具电机等低电压电机,提供高效且稳定的电流输出。
   - H 桥电路:可用于构建 H 桥电路以实现电机的正转、反转和制动功能。

 3. 电池管理系统 (BMS)
   - 电池保护:在锂电池或铅酸电池系统中,该 MOSFET 可用作电池保护开关,防止过充、过放或短路。
   - 均衡电路:用于多节电池组的电压均衡,确保每节电池的电压一致。

 4. 消费电子
   - 智能手机和平板电脑:作为内部电源管理单元的一部分,用于管理充电和供电。
   - USB 充电端口:在 USB 充电器或集线器中,用作电流限制和保护开关。

 5. 汽车电子
   - 车载电子设备:如车窗升降器、座椅调节器等低功率应用,可利用其高效性和可靠性。
   - LED 驱动:用于驱动车内 LED 灯光系统,提供稳定的电流输出。

 6. 工业控制
   - 信号放大和隔离:在工业控制系统中,作为信号放大或隔离的开关元件。
   - 继电器替代:由于其快速开关特性和长寿命,可以替代传统机械继电器。

 特性优势
- 低导通电阻 (Rds(on)):降低功率损耗,提高效率。
- 高电流能力:支持大电流应用,满足多种负载需求。
- 快速开关速度:减少开关损耗,适合高频应用。
- 小型封装:节省 PCB 空间,适合紧凑型设计。

综上所述,PSMN018-80YS,115 广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场景,尤其适合对成本和性能有较高要求的消费电子、汽车电子和工业控制领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH LFPAKMOSFET N-CHAN 80V 45A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

45 A

Id-连续漏极电流

45 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN018-80YS,115-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

PSMN018-80YS,115

PCN组件/产地

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

89 W

Pd-功率耗散

89 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

18 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

15 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

80 V

Vds-漏源极击穿电压

80 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1640pF @ 40V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

26nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

18 毫欧 @ 5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

LFPAK56, Power-SO8

其它名称

568-5582-1

功率-最大值

89W

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-100,SOT-669,4-LFPAK

封装/箱体

LFPAK33-4

工厂包装数量

1500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

80V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

45A (Tc)

配置

Single

推荐商品

型号:IRLR7821TRPBF

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:FQP7N20

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:FQD2N80TF

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:FQD6N40TF

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:PMPB10XNE,115

品牌:Nexperia USA Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:PH2520U,115

品牌:Nexperia USA Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:AOD409

品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:STP11NM60ND

品牌:STMicroelectronics

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
PSMN018-80YS,115 相关产品

IRLMS6702TRPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

TPC6110(TE85L,F,M)

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

价格:

SI7852ADP-T1-E3

品牌:Vishay Siliconix

价格:

STP20NF06

品牌:STMicroelectronics

价格:

IRF1404L

品牌:Infineon Technologies

价格:

IRF630BTSTU_FP001

品牌:ON Semiconductor

价格:

FDS6575

品牌:ON Semiconductor

价格:¥3.36-¥3.36

ZXM61P03FTA

品牌:Diodes Incorporated

价格: