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Datasheet下载- 型号： PSMN017-60YS,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN017-60YS,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN017-60YS,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN017-60YS,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 44A（Tc） 74W（Tc） LFPAK56，Power-SO8。您可以下载PSMN017-60YS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN017-60YS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN017-60YS,115 是一款由 NXP（恩智浦）生产的功率 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具体型号为 PSMN017-60YS。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和出色的热性能，适用于多种电力电子应用。 应用场景： 1. 电源管理： - 该 MOSFET 可用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器、开关模式电源（SMPS）等电源管理系统中。其低导通电阻有助于减少传导损耗，提高效率，特别适合需要高效能和低功耗的应用。 2. 电机驱动： - 在电机控制领域，PSMN017-60YS,115 可用于驱动小型直流电机、步进电机或无刷直流电机（BLDC）。其快速开关特性和低导通电阻使其在高频开关应用中表现出色，能够有效降低发热并提高系统可靠性。 3. 电池管理系统 (BMS)： - 该器件可用于电池保护电路中，作为充放电路径的开关元件。它能够在过流、短路等异常情况下迅速切断电流，保护电池和相关电路免受损坏。 4. 消费电子产品： - 在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中，PSMN017-60YS,115 可用于充电电路、背光驱动等模块。其紧凑的封装形式（SO-8 封装）和低功耗特性使其非常适合对空间和功耗有严格要求的消费类电子产品。 5. 工业自动化： - 在工业控制系统中，如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器等，该 MOSFET 可用于信号隔离、负载切换等功能。其可靠的性能和宽工作温度范围（-55°C 至 +150°C）使其能够在严苛的工业环境中稳定运行。 6. 汽车电子： - 在汽车电子系统中，PSMN017-60YS,115 可用于车身控制模块（BCM）、电动助力转向（EPS）、LED 照明驱动等应用。其符合 AEC-Q101 标准，确保了在汽车环境下的高可靠性和长寿命。 总之，PSMN017-60YS,115 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各种电力电子设备中，特别是在需要高效能、低功耗和高可靠性的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH LFPAKMOSFET Single N-Channel 60V 174A 74W 24.7mOhms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 31 A |
| Id-连续漏极电流 | 31 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN017-60YS,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN017-60YS,115 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 74 W |
| Pd-功率耗散 | 74 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 24.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 24.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 54 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 54 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1172pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 15.7 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-5581-2 |
| 功率-最大值 | 74W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 44A （Tc） |
| 配置 | Single |
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