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型号： PSMN017-60YS,115
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN017-60YS,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN017-60YS,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN017-60YS,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 60V 44A（Tc） 74W（Tc） LFPAK56，Power-SO8。您可以下载PSMN017-60YS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN017-60YS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PSMN017-60YS,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款单通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。该型号的MOSFET具有以下主要特点和应用场景：

 主要特点：
1. 低导通电阻：PSMN017-60YS,115 具有非常低的导通电阻（Rds(on)），在典型工作条件下，其导通电阻仅为1.7毫欧（mΩ）。这使得它在高电流应用中能够减少功率损耗，提高效率。
2. 高耐压能力：该MOSFET的最大漏源电压（Vds）为60V，适用于需要较高电压的工作环境。
3. 大电流承载能力：其最大连续漏极电流（Id）可达115A，适合用于大电流负载的应用。
4. 快速开关特性：PSMN017-60YS,115具备快速的开关速度，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关电源等应用。

 应用场景：
1. 电源管理：由于其低导通电阻和高电流承载能力，PSMN017-60YS,115非常适合用于各种电源管理系统，如DC-DC转换器、开关电源、电池充电电路等。它可以有效地降低功率损耗，提高系统的整体效率。
   
2. 电机驱动：该MOSFET可以用于驱动小型至中型电机，尤其是在电动工具、家用电器和工业自动化设备中。其快速开关特性和大电流承载能力使其能够在电机启动和运行过程中提供稳定的电流输出，同时减少发热。

3. 汽车电子：在汽车电子系统中，PSMN017-60YS,115可用于车载电源、电池管理系统（BMS）、发动机控制单元（ECU）等关键部件。其高可靠性和耐高温性能使其能够在严苛的汽车环境中稳定工作。

4. 工业控制：在工业控制系统中，该MOSFET可以用于驱动继电器、电磁阀等执行机构，或者作为开关元件用于保护电路。其快速响应时间和低功耗特性有助于提高系统的响应速度和可靠性。

5. 消费电子产品：在消费电子产品中，如笔记本电脑适配器、智能手机充电器等，PSMN017-60YS,115可以用于高效能的电源管理模块，确保设备在充电和使用过程中的电力供应稳定且高效。

总之，PSMN017-60YS,115凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、汽车电子、工业控制和消费电子等多个领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH LFPAKMOSFET Single N-Channel 60V 174A 74W 24.7mOhms
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	31 A
Id-连续漏极电流	31 A
品牌	NXP Semiconductors
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN017-60YS,115-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	PSMN017-60YS,115
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	74 W
Pd-功率耗散	74 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	24.7 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	24.7 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	54 V
Vds-漏源极击穿电压	54 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	3 V
Vgsth-栅源极阈值电压	3 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1172pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	20nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	15.7 毫欧 @ 15A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	LFPAK56， Power-SO8
其它名称	568-5581-2 934064399115 PSMN01760YS115
功率-最大值	74W
包装	带卷（TR）
商标	NXP Semiconductors
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	SC-100，SOT-669，4-LFPAK
封装/箱体	LFPAK-4
工厂包装数量	1500
晶体管极性	N-Channel
标准包装	1,500
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	44A （Tc）
配置	Single