ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > PSMN015-60PS,127
Datasheet下载- 型号： PSMN015-60PS,127
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN015-60PS,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN015-60PS,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN015-60PS,127封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 86W（Tc） TO-220AB。您可以下载PSMN015-60PS,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN015-60PS,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PSMN015-60PS,127 是一款单通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具体为 N 沟道增强型 MOSFET。该器件具有 60V 的最大漏源电压 (VDS) 和极低的导通电阻 (RDS(on))，在多种应用场景中表现出色。 应用场景 1. 电源管理： - 开关电源：该 MOSFET 可用于开关电源中的功率开关，由于其低导通电阻和快速开关特性，能够有效减少功耗并提高效率。 - DC-DC 转换器：在降压、升压或升降压转换器中，PSMN015-60PS,127 可作为主开关或同步整流器，确保高效的能量转换。 2. 电机驱动： - 无刷直流电机 (BLDC)：在 BLDC 驱动电路中，MOSFET 作为功率级的一部分，负责控制电机的相电流。其低 RDS(on) 特性有助于减少发热，延长使用寿命。 - 步进电机驱动：用于步进电机驱动器中的功率输出级，提供高效率和可靠的电流控制。 3. 负载切换： - 负载开关：在需要频繁开关负载的应用中，如汽车电子、消费电子产品等，PSMN015-60PS,127 可以实现快速、低损耗的负载切换，确保系统的稳定性和可靠性。 - 电池管理系统 (BMS)：用于电池组的充放电控制，通过精确控制电流路径，保护电池免受过充、过放等问题的影响。 4. 工业自动化： - 可编程逻辑控制器 (PLC)：在 PLC 中，MOSFET 用于驱动各种执行器和传感器，其快速响应和高可靠性使其成为理想选择。 - 伺服控制系统：在精密伺服控制系统中，MOSFET 用于控制电机和其他执行机构，确保系统的高精度和响应速度。 5. 消费电子产品： - 便携式设备：如智能手机、平板电脑等，PSMN015-60PS,127 可用于电源管理模块，确保设备在不同工作模式下的高效能表现。 - 智能家居设备：如智能插座、智能灯泡等，MOSFET 用于控制电力分配和负载管理，提供节能和智能化功能。 总之，PSMN015-60PS,127 凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于各类电源管理和电机驱动场合，特别是在对效率和可靠性要求较高的应用中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 50A TO220ABMOSFET Single N-Channel 60V 201A 86W 34mOhms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN015-60PS,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN015-60PS,127 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 86 W |
| Pd-功率耗散 | 86 W |
| Qg-GateCharge | 20.9 nC |
| Qg-栅极电荷 | 20.9 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14.8 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1220pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20.9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14.8 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-5773 |
| 功率-最大值 | 86W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 14.8 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 50 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tmb） |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
