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型号： PSMN014-40YS,115
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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PSMN014-40YS,115产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN014-40YS,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN014-40YS,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN014-40YS,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 40V 46A（Tc） 56W（Tc） LFPAK56，Power-SO8。您可以下载PSMN014-40YS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN014-40YS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 40V LFPAKMOSFET N-CHAN 40V 32A
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-连续漏极电流	32 A
品牌	NXP Semiconductors
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN014-40YS,115-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	PSMN014-40YS,115
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	56 W
Pd-功率耗散	56 W
RdsOn-漏源导通电阻	14 mOhms
Vds-漏源极击穿电压	40 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	702pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	12nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	14 毫欧 @ 5A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	LFPAK56， Power-SO8
其它名称	568-5578-1
功率-最大值	56W
包装	剪切带（CT）
商标	NXP Semiconductors
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	14 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	SC-100，SOT-669，4-LFPAK
封装/箱体	LFPAK33-4
工厂包装数量	1500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
汲极/源极击穿电压	40 V
漏极连续电流	32 A
漏源极电压(Vdss)	40V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	46A （Tc）
配置	Single