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PSMN013-30MLC,115产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,4.5V 驱动 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | PSMN013-30MLC,115 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.95V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 519pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 13.6 毫欧 @ 10A,10V |
供应商器件封装 | LFPAK33 |
其它名称 | 568-9571-6 |
功率-最大值 | 38W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 根引线) |
工具箱 | /product-detail/zh/NXPMOSFET-DESIGNKIT/NXPMOSFET-DESIGNKIT-ND/4428862 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 39A (Tc) |