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  • 型号: PSMN013-30MLC,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PSMN013-30MLC,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN013-30MLC,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN013-30MLC,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN013-30MLC,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 39A(Tc) 38W(Tc) LFPAK33。您可以下载PSMN013-30MLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN013-30MLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平栅极,4.5V 驱动

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PSMN013-30MLC,115

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.95V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

519pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

13.6 毫欧 @ 10A,10V

供应商器件封装

LFPAK33

其它名称

568-9571-6

功率-最大值

38W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 根引线)

工具箱

/product-detail/zh/NXPMOSFET-DESIGNKIT/NXPMOSFET-DESIGNKIT-ND/4428862

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

39A (Tc)

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