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  • 型号: PRF957,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PRF957,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PRF957,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PRF957,115价格参考。NXP SemiconductorsPRF957,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频, RF Transistor NPN 10V 100mA 8.5GHz 270mW Surface Mount SOT-323-3。您可以下载PRF957,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PRF957,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc.生产的PRF957,115是一款双极射频晶体管(BJT),主要应用于高频射频领域。以下是其典型的应用场景:

 1. 射频功率放大器
   - PRF957,115广泛用于射频功率放大器的设计,特别是在VHF/UHF频段(30 MHz至1 GHz)。它能够提供高增益和高效率,适用于通信设备中的信号放大。

 2. 无线通信系统
   - 在无线电通信、对讲机、基站发射机等设备中,该晶体管可用于实现信号的功率放大,确保传输距离和信号质量。

 3. 广播设备
   - 用于FM/AM广播发射机中,作为功率放大级的核心元件,帮助将音频信号转换为高频射频信号并进行放大。

 4. 工业、科学和医疗(ISM)应用
   - 在ISM频段(如433 MHz、915 MHz等)的设备中,例如微波炉、RF加热器或医疗诊断设备,PRF957,115可以提供稳定的射频输出。

 5. 业余无线电
   - 对于业余无线电爱好者,这款晶体管适合构建自制的射频放大器或发射机,支持短波、超短波等频段的实验与应用。

 6. 测试与测量设备
   - 在射频信号发生器、频谱分析仪等测试仪器中,PRF957,115可用作驱动级或输出级放大器,以生成高质量的射频信号。

 7. 雷达系统
   - 在小型雷达系统中,该晶体管可用于前端射频信号的放大,提高系统的探测能力和灵敏度。

 性能特点
- 高频率范围:支持VHF/UHF频段,满足多种射频应用需求。
- 高线性度:适合需要低失真的应用场景。
- 高可靠性:经过优化设计,能够在严苛环境下稳定工作。

综上所述,PRF957,115是一款性能优异的射频晶体管,适用于各种需要高效射频功率放大的电子设备和系统。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR SOT323射频双极晶体管 NPN 10V 100MA 8.5GHZ

产品分类

RF 晶体管 (BJT)分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors PRF957,115-

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产品型号

PRF957,115

PCN封装

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不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

50 @ 5mA,6V

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产品种类

射频双极晶体管

供应商器件封装

SOT-323

其它名称

568-1177-2
934043090115
PRF957 T/R

功率-最大值

270mW

功率耗散

270 mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

1.5 V

商标

NXP Semiconductors

噪声系数(dB,不同f时的典型值)

1.3dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz

增益

-

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SOT-323

工厂包装数量

3000

技术

Silicon

晶体管极性

NPN

晶体管类型

Bipolar

最大工作温度

+ 150 C

最大工作频率

8500 MHz

最大直流电集电极电流

0.1 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

10V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

类型

RF Bipolar Small Signal

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

10 V

集电极连续电流

0.1 A

零件号别名

PRF957 T/R

频率

8500 MHz

频率-跃迁

8.5GHz

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